國產瀾起科技DDR4全緩衝架構納入國際標準 正研發DDR5內存

在存儲晶元領域，DRAM內存及NAND快閃記憶體的國產率都基本是0，技術及產能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、東芝等公司手中，尤其是高價值的DRAM內存晶元，三星、SK Hynix及美光三家公司佔了全球95%的份額。

國內的DRAM內存晶元布局主要有合肥長鑫/兆易創新的內存晶元項目，福建晉華與台聯電合作的內存項目由於被美國制裁而陷入了困境。除了DRAM晶元，國內還是一些公司主攻內存介面晶元，前不久宣布津逮系列國產X86處理器的杭州瀾起科技就是其中之一，該公司正在申請國內的科創板上市，日前在招股書中披露了他們在DDR內存晶元上的技術進展及布局。

瀾起科技成立於2004年，是全球內存介面晶元的主要供應商之一，憑藉領先的技術水平，在DDR4階段逐步確立了行業領先優勢，公司2018年營業收入175,766.46萬元，凈利潤73,687.84萬元。

瀾起科技發明了DDR4全緩衝「1+9」架構，最終被JEDEC國際標準採納。公司憑藉具有自主知識產權的高速、低功耗技術，為新一代伺服器平台提供完全符合 JEDEC 標準的高性能內存介面解決方案，同時正積极參与DDR5 JEDEC 標準的制定，是全球可提供從DDR2到 DDR4內存全緩衝/半緩衝完整解決方案的主要供應商之一，在該領域擁有重要話語權。

目前，公司根據內存模組製造商的研發進度，積極布局研發DDR5存介面晶元，新一代產品能夠有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。

根據瀾起科技的公告，在內存介面晶元業務領域，為鞏固公司的市場領先地位，瀾起在未來三年完成第一代DDR5內存介面晶元的研發和產業化。

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