耗資25億美元 國產DDR4內存已完成研發測試 年內部分投產

在5月中旬舉行的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內存的技術來源——已破產的奇夢達公司。

通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。

朱一明表示長鑫的內存研發是站在巨人肩膀上，儘管如此國內研發DRAM內存依然花費了極大的代價，累計研發費用高達25億美元，建成嚴謹合規的研發體系和獨有技術體系。

日前安徽印發了2019年省級調度重大項目計劃的通知，提到合肥長鑫12英寸存儲晶圓製造基地項目一期研發階段所有單體已完成，目前研發線晶圓片電性測試良好，成品晶元功能通過；正在進行良率提升以及量產準備工作。

2019年工作目標是，部分完工，其中部分生產線投入使用。

根據計劃，長鑫將於2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。

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