國產DRAM內存：採用19nm工藝製造，不比三星、鎂光差多少

說起國產晶元，大家都知道較之國際頂尖水平，是相對較落後的，尤其是晶元製程上，比之國際頂尖水平，差不多有3代的差距。

比如目前中芯國際的水平是28nm、華虹半導體的水平也是28nm，而台積電已經邁入7nm時代，甚至最近還傳出正式啟動2nm工藝的研發，不過中芯國際今年會進入14nm時代了，也算是好消息了。

也正因為如此，所以一說國產晶元有什麼突破，網友們都要質疑，說技術怎麼樣，是不是落後產品，因為大家的潛意思里總是覺得國產在晶元方面會落後些，甚至有可能是撿了國外的落後生產線來生產。

所以最近當長鑫存儲表示今年會推出8GB的DDR4內存時，網友們也是持懷疑態度，稱是不是製程比較落後？所以生產出來的產品，會不會性能較之三星、SK海力士、鎂光等會不會有較大的差距？

但我要告訴你，這次國產內存並沒有採用落後的製程工藝哦，長鑫存儲要量產的DDR4內存採用的是19nm工藝，這也是全球第四家採用20nm以下工藝的內存廠商。

前三大廠商自然是三巨頭三星、SK海力士、鎂光了。三星在DDR4上目前採用的是主要是14nn工藝，SK海力士、鎂光主流產品採用的也是14nm工藝，而下一代則是10nm工藝，目前三大廠已研發成功，但並沒有大批量生產，預計會在今年三季度或年底才會大規模生產。

可見，相比於三星、SK海力士、鎂光，長鑫存儲的工藝也只相差了一代左右，而這一代的差距體現在產品上，差距應該會有的，但差距並不會那麼明顯的，而按照長鑫的計劃，明年會研發17nm，到2021年會進步到10nm左右。

所以說，在內存方面，這次我們真的不是按照落後的工藝來的，完全和三星、SK海力士、鎂光等大廠相差不太大，大家要對國產內存有信心一點。

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