先進技術？菜雞互啄？測三款QLC顆粒SSD

說實話自從QLC顆粒出現以來，它得到的來自消費者的唾罵或許也只有SMR可以預期相提並論，也使得人們一夜之間看清楚並不是技術進步就一定有利於消費者，甚至更多時候是對於終端產品負面作用遠大於正面——而從以往的經驗來看，QLC必然也會像MLC取代SLC、TLC取代MLC一樣成為主流市場SSD產品的主要選擇，這種歷史進程一定程度上也加深了消費者面對QLC產品時的不安感，甚至於有很多人已經開始選擇搶先下手大容量高性能的TLC SSD，「稀有的TLC顆粒」不是一句完全的玩笑話，或許已經是正在慢慢接近我們的事實。

QLC NAND從原理上來講並不神秘，無非就是MLC技術的另一種擴展，用更精細的電壓分劃使得每cell可以存儲更多的bit位，4bit MLC就是三星對於QLC的另一種稱呼，並不是什麼非常艱深難懂的技術。但就像從MLC到TLC時代一直飽受質疑的問題一樣，更精細的電壓分劃需要更高的寫入和讀取電壓精度，這個問題直接影響的就是固態硬碟的速度和壽命，而多出來的容量收益卻在由50%到25%逐漸減小，這個代價是否值得，也是人們普遍質疑QLC的一個原因。

當然了TLC時代出現的3D NAND堆疊技術一定程度上來說是QLC所必須的前置技術，沒有它的話只靠微縮製程增加存儲密度，怕是做出來的QLC顆粒只能當一次性產品來用。有了3D堆疊技術之後可以使用更老舊的工藝和更厚的耗盡層，同時保持仍然可用的性能和壽命。所以說QLC NAND是現在最先進的快閃記憶體並沒有絲毫不妥，無論從製造難度和前置技術需求上來說，它都是目前製造難度最高的NAND顆粒（3D XPoint不算NAND）。

這個數值已經差不多有當年初期的2D TLC顆粒的水平了，從標稱性能參數上來講也是。等於我們繞了一圈，又回到了起點，果然技術進步的福利全歸資本家了，這個世界啊。

吐槽歸吐槽，最終技術分析終究是要落實到實際產品上的。目前已經上市的大牌QLC SSD產品只有三個，採用的正是各家的原廠QLC NAND顆粒。它們分別是SATA協議的三星860QVO，和m.2 NVMe協議的Intel 660p與鎂光英睿達P1。

三款產品的包裝如圖，看著這包裝都能聞到一股技術先進的味道……

背面，這次參與測試的都是1TB版本。

拆包，產品合影。

鎂光英睿達P1，兩顆NW947 QLC顆粒，一顆D9STQ 512MB LPDDR3緩存顆粒，主控是SMI SM2263ENG。

Intel 660p，兩顆Intel原廠QLC NAND顆粒，一顆南亞512MB LPDDR3緩存，主控是SMI SM2263。

三星860QVO我這邊沒有合適的星型螺絲刀拆不開，就找了個網圖，可以看到其顆粒、主控、緩存都是三星自己的型號。

拆解完成之後下面是性能測試。時間有限我們只測試了這三款SSD在完全空盤和填滿90%數據下的性能。首先是SLC Cache容量和緩外寫入測試：

鎂光P1空盤，SLC緩存容量48GB

鎂光P1滿盤，SLC緩存容量48GB 緩外速度約80M

Intel 660p空盤，SLC緩存容量約128GB

Intel 660p滿盤 SLC緩存容量約8GB，緩外速度約120MB/s

860QVO空盤，SLC緩存容量約42GB

860QVO滿盤，SLC緩存容量約4GB

可以看到鎂光P1採用的是固定容量SLC Cache的模式，無論全盤被佔用多少，都有約48GB的SLC Cache空間作為緩衝，保證相對穩定的性能發揮。而660p和三星860EVO採用的都是動態分配模式，剩餘容量多的時候SLC緩存容量也大，Intel 660p更是達到128GB的水平。而全盤近乎塞滿的時候SLC緩存容量就會比較慘（三星860QVO已經少到了可能嚴重影響日常使用的級別），這也是之前我一直說660p這種盤要買就買2TB，只有2TB才配真香的一個原因，2TB版本即使塞滿也差不多有17GB的SLC Cache，足夠保證日常使用前提下不爆緩存。

緩外速度方面Intel 660p比另外兩個盤都快一些，但也沒有本質的差距，80MB/s和120MB/s甚至不如好一點的機械盤，但是2TB版本的660p就可以有差不多250MB/s的緩外寫入，接近中低端TLC SSD的水平，好歹摘掉了Super SD card的帽子。

AS SSD Benchmark快餐跑分

鎂光P1空盤 1GB數據量

鎂光P1空盤 10GB數據量

鎂光P1滿盤 1GB數據量

鎂光P1滿盤 10GB數據量

660p空盤 1GB數據量

660p空盤 10GB數據量

660p滿盤 1GB數據量

660p滿盤 10GB數據量

860QVO 空盤 1GB數據量

860QVO空盤 10GB數據量

860QVO滿盤 1GB數據量

860QVO滿盤 10GB數據量

實際上對於鎂光P1來說，無論是空盤還是滿盤，這個快餐測試都是在SLC Cache裡邊跑的，所以實際得到的分數大概相當，而且作為m.2 NVMe的盤最終得分也比較好看。660p方面空盤的時候1GB和10GB數據量都在SLC Cache之內，但是滿盤情況下最後一部分測試數據會溢出SLC Cache，出現可見的分數下降，寫入性能損害尤其明顯。至於860QVO那就很慘烈了，只要臨近塞滿那就秒變大號U盤，估計真用到主機里裝系統用的話會出現什麼網頁無響應之類的亂七八糟問題……

Anvil"s Storage Benchmark測試

660p 1GB數據量

660p 空盤 32GB數據量

660p 滿盤 1GB數據量

660p 滿盤 32GB數據量

鎂光P1 空盤 1GB數據量

鎂光P1 空盤 32GB數據量

鎂光P1滿盤 1GB數據量

鎂光P1 滿盤 32GB數據量

860QVO空盤 1GB數據量

860QVO空盤 32GB數據量

860QVO滿盤 1GB數據量

860QVO滿盤 32GB數據量

660p的那個空盤測試32GB數據量有點Bug，大家不要看最後的總分數。這個測試的壓力比ASS SSD要高，即使有SLC Cache護體，在接近滿盤的前提下尤其是寫入部分的跑分成績各款QLC SSD依然是很難看。鎂光P1和Intel 660p依然是相當，都領先慘不忍睹的860 QVO一個級別。

IOMeter磁碟操作回放測試

記錄文件選用的是256KB的塊，50%混合讀寫，模擬日常使用的性能情況。

鎂光P1空盤

鎂光P1滿盤

Intel 660p空盤

Intel 660p滿盤

860QVO空盤

860QVO滿盤

這個測試最終的性能排序是Intel 660p略好於鎂光P1好於860EVO，主要是高壓下的最大延遲表現會低一些，其它表現都差不多。不過實際回放表現上的差距860QVO反而跟兩張NVMe盤之間的差距沒有那麼大了，也說明日常使用的混合讀寫操作下這三張盤的體驗差距並不會像快餐跑分當中展示的那麼大，860QVO的總速率偏低也是由於比較受SATA介面影響。

溫度測試

860QVO

Intel 660p

鎂光P1

溫度方面兩款NVMe的盤在全速讀寫時溫度都在60℃左右，不過也不用太擔心發熱問題一方面是60℃對於現在的晶元來說根本不算熱，再一個就是你想連續大量的往QLC盤裡寫數據也得問問QLC顆粒願不願意……寫滿SLC緩存之後溫度自然也就下來了，不用擔心……

SATA協議的860QVO那就涼快得多了。

總結與購買建議

首先要明確一個問題，咱們說660p什麼的真香的時候，指的是便宜真香而不是QLC真香——這裡邊隱含著兩點，第一點是QLC從絕對性能上來說確實不怎麼夠看；第二點是SSD性能差距對系統體驗的影響並不大，甚至難以感知（從模擬實際使用的IOMeter腳本回放當中便可略知一二），但容量提升帶來的體驗卻是實打實的，原來1200元只能買到1TB的SSD，現在可以買到2TB的，可以把更多的遊戲放到SSD裡邊提供更快的讀取速度，這才是所謂的「香」。

具體到這三個盤上，如果只在這三個盤裡選擇的話我還是比較推薦鎂光英睿達P1，一個是在這三個盤裡它JD自營售價最低，性能方面與1TB的660p也相當，還有保底48GB的SLC緩存保證日常使用當中不出現什麼大的瓶頸，對於單盤1TB可能被塞得比較滿的系統而言顯然更加能夠令人放心。但如果放寬一點的話允許選擇不同容量我更推薦2TB的660p，一個是TB售價現在已經到了1099這種喪心病狂快跌破5毛1G的程度，再一個是2TB版本保底的SLC Cache也有17GB，估計也只有快塞滿的時候用Steam往裡下新遊戲的分配空間過程會感覺有那麼些不夠用，日常情況下極少能用到爆17GB緩存的程度。而且四顆快閃記憶體2TB的組合對於QLC孱弱的寫入性能來說可以得到一個幾乎翻倍的BUFF，使之接近512GB 中低端TLC盤的水平，容量速度兩開花，而且價格也不高，明顯是更合適的選擇。當然在這裡我還是要遺憾一下，為什麼660p沒有雙面八顆粒4TB的版本（不過好像2263主控也不支持八通道快閃記憶體吧……）

至於三星860QVO，em，除非系統沒有m.2介面只能用SATA盤，還真找不到什麼理由推薦它……

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