英特爾Xe加速卡將採用7nm工藝與2D+3D封裝

在錯過移動互聯網大潮之後，英特爾不願意再錯過可能的機會。英特爾近幾年收購了FPGA廠商Altera、自動駕駛廠商Mobileye，同時加快了處理器更新換代，並計劃在2020年推出Xe獨立顯卡。

從2018年下半年官宣開始，英特爾高性能GPU計劃Xe的節奏已經基本定調，第一代產品最快在2020年上市，英特爾同時計劃在2021年推出7nm工藝的Xe顯卡。

在ISC國際超算大會上，英特爾進一步公開用於加速計算的Xe GPU細節，美國微博的用戶Ahmad Ali曝光英特爾在ISC19大會上的PPT，該PPT詳細介紹Xe加速卡的獨特之處。

英特爾已經在5月宣布，2021年將推出7nm工藝，首發該工藝的就是Xe高性能GPU，並非常見的CPU晶元。原因是英特爾認為，CPU電路的複雜程度比GPU高得多，優先在GPU進行生產等待工藝成熟，在導入到CPU的生產當中。

英特爾Xe加速晶元還會用上2D的EMIB封裝、3D的Foveros封裝技術，英特爾將通過這兩種先進的封裝技術，為Xe GPU帶來不同工藝、不同架構的小晶元進行封裝，意味著Xe GPU裡面的晶元不全是7nm工藝，可能還會有14nm或10nm工藝。

英特爾給Xe加速GPU晶元用上7nm工藝，很大原因是為2021年的Aurora超算，這部百億億次超算將由英特爾負責提供CPU及GPU加速晶元。

上面提到的Xe加速GPU都是用於高性能計算市場的Xe，消費級的Xe顯卡將在2020年發布，官方曾表示其將使用10nm工藝製造，也不排除英特爾需找第三方晶圓廠代工，畢竟現在14nm產能依然十分緊張。

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