DRAM開始進入EUV時代?
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根據國外媒體報導,曾表示目前製程技術還用不上EUV技術的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落,短期看不到止跌訊號的情況下,也頂不住生產成本的壓力,開始考量導入EUV技術,以降低生產成本。南韓三星將在2019 年底前正式導入。
報導指出,為了應付半導體製程微縮,因此有了EUV設備與技術。使用EUV 技術後,除了同樣製程的情況下,可將電晶體密度提升,同頻率下功耗降低,且因為製程微縮,使得單位位元數產出增加,降低光罩用量,如此就可降低成本。不過EUV設備昂貴,過去DRAM價格居高不下的時期,各家DRAM廠商擴大產能都來不及,暫時不考慮目前製程導入EUV技術。但市況大不如前,導致想法改變。
根據市場研究調查單位DRAMeXchange的研究資料顯示,當前DRAM市場供給過剩導致價格不斷下跌的情況持續。對此,DRAM廠雖然盡量減產,但仍然無法讓價格明顯止跌。因此,唯一能維持獲利的方法就是微縮製程來降低單位生產成本。不過,DRAM製程向1z 納米或1α 納米製程推進的難度愈來愈高,隨著EUV量產技術獲得突破,將可有效降低DRAM的生產成本。
報導指出,基於以上的原因,南韓三星預期在2019年11月開始量產採用EUV 技術的1z 納米DRAM,量產初期將與三星晶圓代工共用EUV設備,初期使用量雖不大,但卻等於宣示DRAM微影技術會開始向EUV的方向發展。至於,SK海力士及美光也已經表明,現階段開始評估導入EUV技術的需求。對此,業界預期將,可能在1α 納米或1β 納米世代開始真正導入。
報導進一步表示,三星的1z 納米屬於第三代10納米級的製程,10納米級的製程並不是10納米製程,而是由於20納米製程節點之後的DRAM製程升級變得困難,所以DRAM記憶體製程的線寬指標不再那麼精確,於是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等製程節點之分。簡單來說,1x 納米製程相當於16 到19 納米,1y 納米製程相當於14到16納米,1z 納米製程則是大概為12到14納米製程的等級,而在這之後還有1α 及1β 納米製程節點。
由於,先進位程採用EUV微影技術已是趨勢,在台積電2019第2季量產內含EUV技術的7納米加強版製程,並且獲得客戶訂單之後,競爭對手三星的晶圓代工也採用EUV量產7納米製程,英特爾則是預期2021年量產的7納米製程將會首度導入EUV技術。而隨著製程持續推進至5納米或3納米節點之後,預期對EUV的需求也會越來越大,屆時EUV設備已將成為半導體軍備競賽中不可或缺的要項。
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