DRAM開始進入EUV時代？|半導體行業觀察

來源：內容由 公眾號 半導體行業觀察 （ID：icbank）轉載自「technews」，謝謝。

根據國外媒體報導，曾表示目前製程技術還用不上EUV技術的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產成本的壓力，開始考量導入EUV技術，以降低生產成本。南韓三星將在2019 年底前正式導入。

報導指出，為了應付半導體製程微縮，因此有了EUV設備與技術。使用EUV 技術後，除了同樣製程的情況下，可將電晶體密度提升，同頻率下功耗降低，且因為製程微縮，使得單位位元數產出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。不過EUV設備昂貴，過去DRAM價格居高不下的時期，各家DRAM廠商擴大產能都來不及，暫時不考慮目前製程導入EUV技術。但市況大不如前，導致想法改變。

根據市場研究調查單位DRAMeXchange的研究資料顯示，當前DRAM市場供給過剩導致價格不斷下跌的情況持續。對此，DRAM廠雖然盡量減產，但仍然無法讓價格明顯止跌。因此，唯一能維持獲利的方法就是微縮製程來降低單位生產成本。不過，DRAM製程向1z 納米或1α 納米製程推進的難度愈來愈高，隨著EUV量產技術獲得突破，將可有效降低DRAM的生產成本。

報導指出，基於以上的原因，南韓三星預期在2019年11月開始量產採用EUV 技術的1z 納米DRAM，量產初期將與三星晶圓代工共用EUV設備，初期使用量雖不大，但卻等於宣示DRAM微影技術會開始向EUV的方向發展。至於，SK海力士及美光也已經表明，現階段開始評估導入EUV技術的需求。對此，業界預期將，可能在1α 納米或1β 納米世代開始真正導入。

報導進一步表示，三星的1z 納米屬於第三代10納米級的製程，10納米級的製程並不是10納米製程，而是由於20納米製程節點之後的DRAM製程升級變得困難，所以DRAM記憶體製程的線寬指標不再那麼精確，於是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等製程節點之分。簡單來說，1x 納米製程相當於16 到19 納米，1y 納米製程相當於14到16納米，1z 納米製程則是大概為12到14納米製程的等級，而在這之後還有1α 及1β 納米製程節點。

由於，先進位程採用EUV微影技術已是趨勢，在台積電2019第2季量產內含EUV技術的7納米加強版製程，並且獲得客戶訂單之後，競爭對手三星的晶圓代工也採用EUV量產7納米製程，英特爾則是預期2021年量產的7納米製程將會首度導入EUV技術。而隨著製程持續推進至5納米或3納米節點之後，預期對EUV的需求也會越來越大，屆時EUV設備已將成為半導體軍備競賽中不可或缺的要項。

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