晶元上有上億晶體管，難度這麼大是如何安裝的？佩服現在的工程師

我們的手機和電腦里都是安裝了各種類型的晶元，晶元本身是由數以億計的晶體管組成的，而晶元是在硅晶圓的基礎上一步一步製造出來的，而且這個過程非常複雜，涉及到光刻、離子注入、蝕刻、曝光等一系列步驟，由於晶元對硅晶圓的純度和光刻精度要求非常高，所以這都需要各類高端高精尖的設備才能進行，如果有雜質和誤差問題，那麼晶元也就無法正常工作。

晶元能夠放入那麼多的晶體管，內部結構是採用層級堆疊的技術

晶元雖然體積小，但內部結構是錯綜複雜的微電路。通過X射線觀看晶元內部結構，可以看到有很多層級，上下交錯層疊大概有10層，每一層都有晶體管，通過導線相互連接。在生產的過程中，先完成第一層再向上遞進，就和蓋樓差不多。

新型的鰭式場效晶體管體積更小，還具有3D結構、雙向控制的特性

鰭式場效晶體管技術是一種新型的半導體晶體管，這種晶體管和魚鰭很像，已經達到了9奈米，是頭髮絲的萬分之一。如果是傳統的晶體管，電流經過閘門時只能管控一邊的電路，屬於平面結構的類型，而鰭式場效晶體管實現了3D結構，電流可以實現雙向控制。

最先進的EUV光刻設備是晶體管注入的必備條件

光刻機的紫外線要從原來的193nm提升到13.5nm，那就要使用最先進的EUV光刻設備進行光刻。 完成後就要用化學物質蝕刻掉多作余的硅體，通過感光產生二氧化硅這種物質，再加入多晶硅基本就可以形成門電路，建立各個晶體管之前的連接。通過這種操作方式，一次可以注入大約3000萬個晶體管。

自從2011年英特爾推出3D晶體管層疊結構以來，晶體管便能以層級堆疊的形式排列起來，這樣就大大增加了晶體管密度，同時藉助更先進的製造工藝，晶體管之間的間距也變得更小，這樣在同樣大小的晶元中才能獲得更高的性能或更低的功耗，半導體晶元這麼多年也都是按照這樣的理念發展的。

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