國產90nm嵌入式快閃記憶體量產：10萬次壽命，25年數據保存

6月27 日，華虹半導體宣布其第三代90 納米嵌入式快閃記憶體（90nm eFlash）工藝平台已成功實現量產。

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發性存儲器技術領域，通過不斷的技術創新，第三代90納米嵌入式快閃記憶體工藝平台的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸紀錄。

Flash IP具有更明顯的面積優勢，使得晶元整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸晶元數量。與此同時，光罩層數也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數據保持能力。

近年來，華虹半導體在90納米工藝節點連續成功推出三代快閃記憶體工藝平台，在保持技術優勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平台的大規模穩定量產，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全晶元產品以及微控制器（MCU）等多元化產品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者，未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力於在功耗和面積方面提供顯著的優化，將200mm現有的技術優勢向300mm延伸，更好地服務國內外半導體晶元設計公司，滿足市場需求。」

華虹半導體在上海金橋和張江建有三座200mm晶圓廠（華虹一廠、二廠及三廠），月產能17.5萬片；同時在無錫高新技術產業開發區內在建一條月產能4萬片的300mm集成電路生產線（華虹七廠）。

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