SK海力士宣布量產4D NAND：最高堆疊128層

在距離96層4D快閃記憶體量產8個月後，SK海力士宣布已經成功研發並量產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體晶元，實現業內最高的快閃記憶體垂直堆疊密度，單顆晶元集成超過3600億個快閃記憶體單元。新的128層4D快閃記憶體單顆容量1Tb(128MB)，容量是96層堆疊的1.4倍。

包括SK海力士在內多家快閃記憶體廠商都研發出1Tb QLC快閃記憶體，但單顆TLC快閃記憶體1Tb還是第一次。為了實現這個指標，SK海力士應用一系列創新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術等。

SK海力士將在下半年批量出貨128層1Tb 4D快閃記憶體，同時計劃在2019年上半年開發下一代UFS 3.1快閃記憶體，將1TB手機所需的快閃記憶體晶元數量減半，同時將封裝厚度控制在1毫米，並降低20%的功耗。SK海力士的新快閃記憶體可以在1.2V電壓下實現1400Mbps的數據傳輸率，可用於高性能、低功耗的手機存儲、企業級固態硬碟。

SK海力士計劃在2020年上半年量產2TB消費級固態硬碟，採用自研主控和軟體;16TB、32TB的企業級NVMe固態硬碟會2020那年宣布。

SK海力士的4D NAND快閃記憶體技術是2018年10月份公開的，4D指的是單晶元四層架構設計，結合3D CTF(電荷捕獲快閃記憶體)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，後者是指製造快閃記憶體時先形成外圍區域再堆疊晶胞，有助於縮小晶元面積。利用這種架構設計，SK海力士在從96層堆疊到128層堆疊時，雖然增加三分之一的層數，但製造工藝步驟減少5%、整體投資也降低60%。

SK海力士下一代176層堆疊的4D NAND快閃記憶體也已經處於研發階段，至於何時發布目前並沒有確切消息。

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