ASML開發新一代EUV設備，預計2025年量產

來源：內容來自「TechNews科技新報」，作者：Atkinson，謝謝。

當前半導體製程微縮已經來到10納米節點以下，EUV極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備，包括現在的7納米製程，以及未來5納米、3納米甚至2納米製程都將採用該技術。

藉由EUV設備導入，不僅可以加快生產效率、提升良率，還能降低成本，除了晶圓代工業者積極導入，連DRAM存儲器生產廠商也考慮引進。

為了因應製程微縮的市場需求，全球主要生產EUV設備的廠商ASML正積極開發下一代EUV設備，就是High-NA（高數值孔徑）EUV產品，預計幾年內就能正式量產。

根據韓國媒體《ETNews》報導，High-NA的EUV設備與目前EUV設備的最大不同點，在於使用EUV曝光時，透過提升透鏡解析度，使解析度（resolution）和微影疊對（overlay）能力比現行EUV系統提升70%，達到業界對幾何式晶元微縮（geometric chip scaling）的要求。

ASML利用德國蔡司半導體業務部門的技術提升透鏡解析度，就為了此目的，ASML於2016年正式收購了德國蔡司半導體業務部門24.9%股權。

針對下一代High-NA的EUV產品，ASML之前也已從3個主要客戶取得4台訂單，並售出8台High-NA EUV產品的優先購買權。這些訂單中，晶圓代工龍頭台積電也是其中之一。

事實上，2018年時，台積電就宣布增加3億美元資本支出，為下一代EUV設備的預付款，也就是已預購新一代High-NA的EUV設備。針對新一代High-NA EUV設備，ASML預計2025年正式量產。

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