1.2億美元一台的光刻機中國研發成功！晶元設計能力已達7nm，再次突破技術壁壘！

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光刻機，有網友可能聽到其名字時比較陌生，但其實我們在日常生活中經常會接觸到由其所鍛造的產品，比如我們所使用的手機和電腦以及其他電子產品的晶元都要經過其製造。主要是使用其在矽片板上刻制電路，隨著電子設備發展的小型化和智能化，晶元的電路板越來越小，電路更加密集，這也對光刻機提出了更高的要求。也使光刻機技術的地位作用更加重要。

目前，普通光刻機的主要集中在14納米的水平上。更先進的還有7納米和9納米光刻機，光刻機技術主要掌握在日本、德國和荷蘭手中，尤其是荷蘭更是此行業的霸主，而非常不幸的是，荷蘭的光刻機公司由於出於種種原因，其光刻機對我國禁運，而對於我國電子產品產量及種類非常龐大的產業來說，其影響力是巨大的，它也間接制約著我國的產業轉型升級，因此在光刻機的研發上，我國也是投入了大量的資金和人員。

國內比較薄弱的是半導體設計及製造，尤其是半導體工藝，目前台積電、三星、Intel已經量產了10nm及7nm工藝，國內目前最先進的量產工藝還是28nm，14/12nm工藝尚未正式量產，差距至少有兩三代，而高性能晶元更依賴先進工藝。

日前上海市政府舉行了新聞發布會，副市長吳清和上海市經信委總工程師張英分別介紹了上海加快建設具有全球影響力的科技創新中心五年以來的主要進展以及未來上海加快建設具有全球影響力的科技創新中心的計劃。

吳清表示，2018年上海集成電路產業銷售規模達1450億元，佔全國的1/5，目前在全力打造集成電路創新高地。

根據吳市長的消息，在半導體設計領域，部分企業研發能力已達7納米，紫光展銳手機基帶晶元市場份額位居世界第三。

在半導體製造領域，中芯國際、華虹集團年銷售額在國內位居前兩位，28納米先進工藝已量產，14納米工藝研發基本完成。

在裝備材料領域，中微、上微處於國內領先水平，刻蝕機、光刻機等戰略產品已達到或接近國際先進水平。

達成這一突破的是我國的武漢光電國家研究中心的甘棕松團隊，他們採用二束激光在自研的光刻機上突破了光束衍射極限的限制，刻出了最小9納米線寬的線段，與西方的光刻技術有所區別，可以說擁有完全的自主產權。相信在不久的將來，這種9納米光刻機技術，很快會從實驗室走嚮應用，屆時，我國的晶元製造將大大減輕對國外的依賴，我們中國人也可以自主設計更先進的晶元，從而在日趨激烈的電子產品競爭中佔據主動地位。

光刻機是現代晶元製造的核心裝備之一，而日本，德國和荷蘭掌握了光刻機的製造技術，但這些製造出來的光刻機非常的昂貴，動輒上億美元，即便是如此昂貴的裝備，他們還是可以賣給其他國家的。

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