ASML研發第二代EUV光刻機:性能提升70%,2025年問世
摘要:日前據韓媒報道稱,ASML公司正積極投資研發下一代EUV光刻機,與現有的光刻機相比,二代EUV光刻機最大的變化就是High NA(高數值孔徑)透鏡,通過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮解析度、套准精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業界對幾何式晶元微縮的要求。
半導體製造過程中最複雜也是最難的步驟就是光刻,成本能佔到整個生產過程的1/3,光刻機也因此成為最重要的半導體製造裝備,沒有之一。目前最先進的光刻機是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機,每台售價超過1億美元,而且供不應求。
2019年,台積電、三星都會開始量產7nm EUV工藝,現有的EUV光刻機也差不多成熟了,雖然產量比起傳統的DUV光刻機還有所不如,不過已經能夠穩定量產了,7nm及明年的5nm節點上EUV光刻機都會是重點。
EUV光刻機未來還能怎麼發展?2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份,並投資數億美元合作研發新一代透鏡,而ASML這麼大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發新一代EUV光刻機。
日前據韓媒報道稱,ASML公司正積極投資研發下一代EUV光刻機,與現有的光刻機相比,二代EUV光刻機最大的變化就是High NA(高數值孔徑)透鏡,通過提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮解析度、套准精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業界對幾何式晶元微縮的要求。
在這個問題上,ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發新一代EUV光刻機,目標是將NA從0.33提升到0.5以上,而從光刻機的解析度公式——光刻機解析度=k1*λ/NA中可以看出,NA數字越大,光刻機解析度越高,所以提高NA數值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵,畢竟現在EUV極紫外光已經提升過一次了。
之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產時間是2024年,不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產,這個時間上台積電、三星都已經量產3nm工藝了,甚至開始進軍2nm、1nm節點了。
來源:快科技
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