為摩爾定律續命 英特爾公布多項3D封裝技術

英特爾本周在舊金山召開的SemiCon West大會上，公布英特爾在半導體領域的最新研究成果，發布三種新3D封裝工藝，除了已經公布的EMIB和Foveros外，新的全方位互聯(ODI)技術也正式亮相。

作為晶元製造過程中的最後一步，封裝雖然很少被提及，但一直發揮著極為關

鍵的作用。在傳統2D封裝技術漸至瓶頸的時候，半導體製造商開始把目光轉向3D堆疊工藝，英特爾的Foveros是其在2018年提出，下半年正式發售的LakeField處理器將率先使用。EMIB允許晶元模塊間的高速內聯，可以在低功耗的情況下提供非常高的帶寬和IO密度。

新的Co-EMIB技術是將EMIB和Foveros相結合，保留兩項技術原有的優點，可以在低功耗高帶寬的情況下連接模擬電路、內存以及其他的周邊元件。

ODI全稱Omni-Directional Interconnect(全方位互聯)技術，封裝中小晶元之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。3D封裝有兩個維度，一是水平方向上晶元間互相通信，另一個是垂直方向上的。新的ODI封裝技術減少了與通訊匯流排接觸的面積，節約出來的面積就可以直接連通底層供電，減少中間層可能發生的漏電情況，大幅提升了供電性能。

MDIO是最為概念性的技術，其基於高級介面匯流排(AIB)物理層互連技術，英特爾發布了這種名為MDIO的全新裸片間介面技術，對小晶元IP模塊庫的模塊化系統設計，將提供兩倍的帶寬和更高的電源效率。

在摩爾定律漸至瓶頸的情況下，英特爾正在不斷探索新的方式來維持處理器性能的不斷提升，3D封裝技術也是業界最為關注的重點之一，包括英特爾、台積電等企業也不斷研究探索。

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