我們擠得太快了？intel稱10nm工藝推遲因目標過於激進

科技 07-19

新聞1：Intel CEO稱我們對於10nm工藝的目標設立的過於激進了

兩天前在財富周刊舉辦的一場科技領域的頭腦風暴會議上，Intel的CEO Bob Swan談論了一些有關於公司的話題，其中就有對於10nm遲遲不能面世的一部分原因的思考，他說：「在那個工藝發展變得越來越困難的節骨眼上，我們卻設立了一個更加激進的目標。從那時起，新工藝的完成就越來越延後。」

Intel的14nm工藝從2014年末推出正式產品以來已經使用了快有5年的時間了，可能是Intel這十多年來使用時間最長的一種工藝。工藝開發難度越來越高，一次又一次地推遲正式使用的時間已經迫使Intel在過去幾年中一而再再而三地修改他們的產品規劃以及路線圖。

14nm早期也經歷了一次延期，導致了Intel的Tick-Tock戰略部分失效——本來應該在2014年中就推出的Broadwell也就是五代酷睿，因為14nm的延期而使得Intel推出了Haswell Refresh系列產品，比如經典的E3-1231V3和i7-4790k就是這次Refresh的產物。而這幾年又因為10nm工藝的嚴重延期，Tick-Tock戰略被完全的放棄，轉而在工藝上進行深度挖掘，於是我們看到了八代和九代酷睿這兩代14nm 工藝的產品，甚至還有可能在今年年末或者明年看到14nm 的十代酷睿。

在10nm工藝的目標上，Intel最初設定了晶體管密度相對於14nm工藝提升2.7倍的目標，就是這個激進的目標使得10nm遇到了相當程度的困難，致使不斷地延期。而後Bob Swan在被問及10nm之後的7nm節點問題時，他回答說，這次他們設定的目標是密度提升兩倍，並且透露7nm已經在開發中了，兩年內一定會正式推出。

Intel目前少數幾家同時具備高性能晶元的設計與頂尖工藝晶元的製造於一體的公司，堅持在CPU上使用自家的工藝使得他們疲於應付這兩年AMD來勢洶洶的挑戰，前不久也有消息稱Intel將選擇第三方來代工自家的新GPU也側面說明了他們在產能方面確實處於一個短缺的時期，希望Intel能夠渡過這場難關，繼續以半導體界領軍人物的身份領導行業前進。

Intel作為少有的同時擁有晶元設計和製造能力的廠商，對自家的半導體工藝要求一直是最高水準，這一點從Intel 14nm的表現就能看得出。而現在Intel將10nm姍姍來遲也甩鍋給了這種高要求，絕口不提擠牙膏的事，並聲稱7nm也將在兩年內完成。但我們也明白，若沒有Ryzen猛踩牙膏管，Intel的10nm/7nm可能還要好久，不知道突然成熟的新工藝會有怎樣的表現呢？

新聞2：Intel稱準備好在獨立顯卡領域挑戰NVIDIA

在GPU市場領域，Intel的地位尷尬卻又極其重要——整合核顯使得Intel坐擁70%的全球GPU市場，但在獨立顯卡領域沒有Intel的份，只有AMD及NVIDIA兩家公司二人轉。這樣的局面很快就要改變了，因為Intel已經致力於推出自家的高性能獨顯GPU，它將使用高度可擴展的Xe架構，2020年會首發Xe顯卡，除了GPU加速卡市場之外，Intel也會進軍遊戲GPU市場。

到了2021年，Intel還會用7nm EUV工藝首發新的Xe顯卡，主要用於高性能計算市場，Intel為能源部承建的百億億次超算Aurora就會同時使用Intel的至強CPU及Xe加速卡。

在GPU市場上，NVIDIA顯然是Intel繞不過去的強大對手，但NVIDIA在很多領域也是Intel的合作夥伴？那Intel如何看待雙方的這種關係呢？

在日前財富雜誌組織的財富全球大會上，Intel CEO思睿博也回應了他們與NVIDIA的關係，他說Intel準備在某些領域跟NVIDIA進一步合作，但在獨立顯卡市場上，Intel已經準備好挑戰NVIDIA，在這一領域，他們要跟NVIDIA競爭。

昨天的資訊中有提到，Intel XE顯卡將在2021年首發Intel 7nm EUV工藝，現在看來是可能的，畢竟初入市場便敢挑戰Nvidia，肯定是有些底氣。同時Intel還擁有大量半導體架構設計的經驗，而Nvidia則擁有目前最先進的GPU架構—Turing，這麼看來，競爭中AMD反而會處在架構工藝都不具優勢的尷尬地位，怕是要受魚池之殃……

新聞3：三星開始量產12Gb LPDDR5內存，為未來的5G以及AI計算鋪路

三星電子今天宣布開始量產最新的12Gb，也就是單顆容量為1.5GB的LPDDR5內存顆粒，五個月前，他們才剛宣布開始量產12Gb容量的LPDDR4X顆粒。

三星同時還宣布，將在本月末開始生產由八片12Gb DRAM晶元打包成的總容量為12GB的內存組，為未來的高端手機助力，目前已經不少有旗艦機型配置了12GB的內存。

「在12Gb的LPDDR5顆粒上面使用了我們最新的第二代10nm級別工藝，我們在儘力確保全球範圍內我們客戶的5G旗艦手機能夠按期上市」，三星DRAM產品和技術部的執行總裁表示，「三星將儘快導入下一代移動內存技術，以提供更好的性能以及更大的容量，同時在高級別的內存市場上保持我們的佔有率」。

新的LPDDR5內存在帶寬上又有提高，可以達到5500Mbps的帶寬，1.3倍於三月份發布的LPDDR4X顆粒，對於未來的大內存需求型應用來說，是非常有幫助的。在打包8片顆粒組成12GB的封裝之後，最大可以在一秒內傳輸44GB的數據，並且新的內存顆粒在更高頻率的情況下還能比原來省電了30%。

上個月三星剛宣布6Gb類型的LPDDR5內存顆粒的量產，這個月就緊接著宣布了容量大了一倍的12Gb的LPDDR5內存顆粒的量產，並且還宣布在開發16GB的內存封裝和帶寬高達6400Mbps的新內存顆粒，三星在移動內存方面的進取心確實有目共睹，尤其是在全球存儲行業大跌價的情況下面仍然能保持這麼一種高投入的開發，實屬不易。

這裡要注意，LPDDR5和DDR5其實是有區別的，LPDDR指「低功耗雙倍數據速率內存」，LPDDR5的出現並不意味著DDR5內存就要進入PC。但也凸顯出了三星在儲存晶元上的優越性，而文中提到了「第二代10nm」工藝指的應該是1y nm工藝，想必很快就會出現在PC內存上，期待它的表現~

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