「盤點」國內在建晶圓生產線項目

圖片來源：拍信網

近年來，隨著國內積極發展集成電路產業以及市場需求提升，各地出現了不少晶圓生產線擴產項目及新項目，以下將盤點目前國內各地在建晶圓生產線項目情況——

北京

燕東微電子8英寸集成電路研發產業化及封測平台建設項目（8英寸）

項目單位：北京燕東微電子科技有限公司

項目內容：燕東微電子8英寸集成電路研發產業化及封測平台建設項目總投資48億元，以研發自主可控的8英寸LCD驅動IC、LDMOS、IGBT等產品為主要目標，建成後將形成月產5萬片晶圓晶元、年封裝超過23億隻集成電路產品的產業化能力。

項目進展：2016年9月，燕東微電子正式啟動8英寸集成電路研發產業化及封測平台建設項目；2018年6月，該項目主體結構FAB1廠房封頂；2019年6月25日，該項目迎來首台設備搬入。

賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目（8英寸）

項目單位：賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司

項目內容：賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目總投資近26億元，建設內容包括一座8英寸晶圓生產廠房以及研發樓，此外還將建設動力廠房、化學品庫、危險品庫、硅烷站等配套設施。該項目主要開展8英寸MEMS半導體晶圓加工工藝，項目最終達產後將形成年投片3萬片/月的生產能力。

項目進展：2018年11月，賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目進行主廠房上樑，有望在2019年12月建成通線，進行產品試生產。

無錫

華虹無錫集成電路研發和製造基地（一期）（12英寸）

項目單位：華虹半導體（無錫）有限公司

項目內容：華虹無錫集成電路研發和製造基地項目佔地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。華虹無錫基地項目將分期建設數條12英寸集成電路生產線，首期項目實施後將適時啟動第二條生產線建設。

項目進展：華虹無錫集成電路研發和製造基地項目（一期）於2018年3月2日正式啟動建設，2019年6月6日實現首批光刻機搬入，預計將於2019年9月建成投片。

海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目（8英寸）

項目單位：海辰半導體（無錫）有限公司

項目內容：海辰半導體是由SK海力士旗下晶圓代工廠SK海力士System IC公司與無錫產業發展集團有限公司合資建立，主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圓生產設備等有形與無形資產，無錫產業集團則主要提供廠房、用水等必要基礎設施，規劃月產能為10萬片8英寸晶圓。

項目進展：海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目於2018年5月23日開工，2019年2月28日廠房封頂。

淮安

德淮半導體年產24萬片12英寸集成電路晶元生產線項目（12英寸）

項目單位：德淮半導體有限公司

項目內容：德淮半導體有限公司成立於2016年1月，總投資450億元，項目首期預計投入120億元，為年產24萬片的12英寸晶圓廠，佔地257畝，是第一家專註於CMOS影像感測器（CMOS Image Sensor，CIS）的半導體公司。

項目進展：2018年12月，報道稱德淮半導體項目一期廠房工程順利通過消防驗收；今年3月，淮安日報報道稱德淮半導體項目處於設備進場調試階段。

江蘇時代芯存相變存儲器項目（12英寸）

項目單位：江蘇時代芯存半導體有限公司

項目內容：江蘇時代芯存相變存儲器項目總投資130億元，一期投資43億元，佔地276畝。全面建成後將達到年產10萬片12英寸相變存儲器的產能，預計年可實現銷售45億元，利稅3億元。

項目進展：江蘇時代芯存相變存儲器項目於2017年3月動工，2017年11月主廠房封頂，2018年3月工廠竣工運營；今年3月，淮安日報報道稱該項目部分產品的前端工藝已在代工方投片，今年第三季度將正式下線。

中璟航天半導體全產業鏈項目（8英寸）

項目單位：江蘇中璟航天半導體實業發展有限公司

項目內容：中璟航天半導體全產業鏈項目總投資120億元，佔地703畝。其中將建設2條年產24萬片8英寸CMOS圖像感測器晶圓廠，總投資60億元，佔地203畝，廠房面積為13.71萬平方米，其中最大單體廠房面積為3.96萬平方米，同時設立CMOS圖像感測器設計公司以及相關封裝測試廠和模組廠。

項目進展：中璟航天半導體全產業鏈項目於2017年12月10日正式開工奠基，目前正在建設第一條生產線。

武漢

長江存儲國家存儲器基地項目（12英寸）

項目單位：長江存儲科技有限責任公司

項目內容：長江存儲國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目總投資240億美元，佔地面積1968畝，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。該項目將分三期建設，其中一期項目產能規劃為10萬片/月，整個項目完成後總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

項目進展：長江存儲國家存儲器基地項目（一期）於2016年12月30日正式開工建設，2017年9月一號生產及動力廠房，2018年4月生產機台正式進場安裝，32層3D NAND快閃記憶體晶元已研發成功，預計將於今年年底量產64層3D NAND快閃記憶體晶元。

武漢弘芯半導體製造項目（12英寸）

項目單位：武漢弘芯半導體製造有限公司

項目內容：武漢弘芯半導體製造有限公司是目前全國半導體邏輯製程單廠中投資規?模最大，技術水平最先進的12英寸晶圓片生產基地。其中項目一期設計月產能4.5?萬片，預計2019年底投產；二期採用最新的製程工藝技術，設計月產能4.5萬?片，預計2021年第四季度投產。?

項目進展：媒體報道稱，弘芯半導體項目一期、二期相繼於2018年4月、2018年9月開工；2019年7月4日，武漢弘芯半導體製造項目103廠房主體結構封頂。

上海

積塔半導體特色工藝生產線項目（8英寸&12英寸）

項目單位：上海積塔半導體有限公司

項目內容：積塔半導體特色工藝生產線項目佔地面積23萬平方米，項目總投資359億元，目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片12英寸特色工藝生產線。產品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、感測器等晶元的核心競爭力和規模化生產能力。

項目進展：積塔半導體特色工藝生產線項目於2018年8月正式開工，2019年5月21日該項目廠房結構封頂，力爭今年年底前完成設備搬入。

天津

中芯國際天津產能擴充項目（8英寸）

項目單位：中芯國際集成電路製造（天津）有限公司

項目內容：中芯國際天津產能擴充項目是對中芯國際天津晶圓廠原有產能4.5萬/月產能的8英寸集成電路生產線進行產能擴充，該擴建項目預計投資金額15億美元，項目全部達產後，中芯天津8英寸晶圓月產能將達15萬片，產品主要應用方向包括物聯網相關、指紋識別、電源管理、數模信號處理、汽車電子等。

項目進展：2016年10月，中芯國際正式啟動中芯天津產能擴充項目；2017年7月，該產能擴充項目中體量最大的單體項目T1B主生產廠房正式破土動工；2018年4年，T1B主生產廠房正式封頂，2018年7月首台設備進駐。

南京

紫光南京集成電路基地項目一期（12英寸）

項目單位：南京紫光存儲科技有限公司

項目內容：南京紫光存儲器生產線項目將分為一期、二期、三期三個建設階段，本項目建設階段為一期，是紫光集團的第2條存儲晶元生產線。本項目將建成12英寸（3D NAND）存儲器生產線，並開展存儲器及關聯產品（模塊、解決方案的研發、製造和銷售），設計產能為10萬片/月。

項目進展：紫光南京集成電路基地項目一期已於2018年9月30日進行樁基工程開工，根據規劃，2019年該項目將進行主體施工建設。

成都

紫光成都集成電路基地項目（一期）（12英寸）

項目單位：成都紫光國芯存儲科技有限公司

項目內容：紫光成都集成電路基地項目（一期）總投資702.31億元，主要新建1條12英寸晶圓代工生產線，主要從事12英寸存儲器晶元3D NAND生產，本項目建成後，將形成年產12英寸存儲器晶元（3D NAND Flash儲存器晶元）120萬片的生產能力。

項目進展：紫光成都集成電路基地項目（一期）於2018年10月正式開工建設。

青島

芯恩（青島）集成電路項目（8英寸&12英寸）

項目單位：芯恩（青島）集成電路有限公司

項目內容：芯恩（青島）集成電路項目是中國首個協同式集成電路製造(CIDM)項目，總投資約150億元，該項目建成後可實現8英寸晶元、12英寸晶元、光掩膜版等集成電路產品的量產。其中一期總投資約81億元，將新建8英寸集成電路生產線1條、12英寸集成電路生產線1條、光掩膜版生產線1條，規劃年產8英寸晶元36萬片、12英寸晶元3.6萬片、光掩膜版1.2萬片。

項目進展：2018年5月，芯恩（青島）集成電路項目一期正式開工，項目計劃2019年底一期整線投產、2022年滿產。

重慶

重慶萬國半導體12英寸功率半導體晶元製造及封裝測試生產基地項目（12英寸）

項目單位：重慶萬國半導體科技有限公司

項目內容：重慶萬國半導體項目於2016年由美國AOS、重慶戰略性新興產業股權投資基金和重慶兩江新區戰略性新興產業股權投資基金共同出資組建。該項目一期投資5億美元，主要建設規模為月產2萬片12英寸功率半導體晶元、月產500KK功率半導體晶元封裝測試。二期計劃投資5億美元，建設月產5萬片12英寸功率半導體晶元、月產1250KK功率半導體晶元封裝測試。

項目進展：重慶萬國半導體項目於2017年2月動工建設，其中封測廠於2018年1月開始搬入設備並裝機，晶圓廠於2018年3月開始搬入設備並裝機，項目現已進入試生產。

廣州

粵芯半導體12英寸集成電路生產線項目（12英寸）

項目單位：廣州粵芯半導體技術有限公司

項目內容：粵芯半導體項目投資70億元，新建廠房及配套設施共佔地14萬平方米。建成達產後，粵芯半導體將實現月產40000片12英寸晶圓的生產能力，產品包括微處理器、電源管理晶元、模擬晶元、功率分立器件等，滿足物聯網、汽車電子、人工智慧、5G等創新應用的模擬晶元需求。

項目進展：粵芯半導體項目於2018年3月開始打樁，2018年10月完成主廠封頂，目前粵芯半導體第一階段的生產線調試已完成，首批樣品已出貨，按計劃將於9月量產。

廈門

士蘭微廈門12英寸晶元生產線暨先進化合物半導體生產線（12英寸）

項目單位：廈門士蘭集科微電子有限公司

項目內容：士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司共同投資220億元人民幣，在廈門規劃建設兩條12英寸90～65nm的特色工藝晶元生產線和一條4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線。其中兩條12英寸特色工藝晶元生產線總投資170億元，第一條總投資70億元，規劃產能8萬片/月，分兩期實施；第二條晶元製造生產線預計總投資100億元。

項目進展：該項目於2018年10月正式開工建設，半化合物半導體晶元及12英寸特色工藝半導體晶元製造生產線分別計劃在今年第四季度和明年試投產。

寧波

中芯國際8英寸特種工藝產線項目（8英寸）

項目單位：中芯集成電路（寧波）有限公司

項目內容：中芯國際8英寸特種工藝產線項目總投資額約55億元人民幣，規劃用地約192畝，目前有N1（小港）與N2（柴橋）兩個項目，將建成中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、製造產業基地，採用專業化晶圓代工與定製產品代工相結合的新型商業模式，並提供相關產品設計服務平台。

項目進展：中芯集成電路（寧波）有限公司正式揭牌於2016年11月正式揭牌成立，2018年11月中芯寧波N1項目正式投產，N2項目也已開工建設。

紹興

中芯集成電路製造（紹興）項目（8英寸）

項目單位：中芯集成電路製造（紹興）有限公司

項目內容：中芯集成電路製造（紹興）項目總投資58.8億元，用地207.6畝，新建14.65萬平米的廠房，建設一條集成電路8寸晶元製造生產線和一條模組封裝生產線，一期規劃建設總用地面積138386平方米，建成達產後將形成晶元年出貨51萬片和模組年出貨19.95億顆的產業規模，規模化量產麥克風、慣性、射頻、MOSFET以及IGBT等產品的晶元和模組。

項目進展：2018年5月18日，中芯集成電路製造（紹興）項目正式開工奠基，主體工程今年6月已結頂，媒體報道稱將於明年3月實現主要產品量產。

濟南

富能高功率晶元生產項目（8英寸&6英寸）

項目單位：濟南富能半導體有限公司

項目內容：富能高功率晶元生產項目將建設8英寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6英寸晶圓廠碳化硅器件的研發、生產基地，項目一期用地317.92畝，建築面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

項目進展：今年3月15日，富能半導體高功率器件項目開工。

合肥

長鑫12吋存儲器晶圓製造基地項目（300mm）

項目單位：合肥長鑫集成電路有限責任公司

項目內容：長鑫12吋存儲器研發項目總佔地1582畝，總投資約80億美元（約550億元），規劃月產12.5萬片DRAM存儲器晶圓。項目採取一次規劃、分三期實施，首期計劃投資約180億元，建設12吋存儲器研發線。

項目進展：合肥長鑫項目一期已於2018年1月完成建設一廠並開始安裝設備，2018年7月16日項目投片。按照規劃，該項目將於2019年末實現產能每月2萬片。

大連

宇宙半導體8英寸功率半導體器件生產線項目（8英寸）

項目單位：大連宇宙半導體有限公司

項目內容：宇宙半導體8英寸功率半導體器件生產線項目投資24億元，計劃年產24萬片8英寸功率半導體器件晶元，產品主要應用於新能源發電、儲能、超級計算機、雲計算網路、伺服器、個人電腦、UPS電源、物聯網等領域。

項目進展：該項目於2016年9月開工，2017年3月進入土地夯實平整階段，暫未搜索到更多信息。

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