台積電總裁魏哲家：3nm EUV工藝進展順利

7月24日消息，近日，台積電總裁暨副董事長魏哲家（CC Wei）宣布，其3nm EUV工藝進展順利，並已經與早期客戶就技術定義進行了接觸。

EUV光刻全稱為Extreme Ultraviolet Lithography，是一種極紫外線光刻工藝。晶元製造商通過EUV光刻技術，能夠持續生產更小、更快、更強大的晶元，同時還能有效控制成本。所以大家熟知的虛擬現實（VR）、自動駕駛、物聯網等技術，都有賴於光刻技術的發展。

儘管突破10nm以下的晶元製造工藝，愈加艱難，但是台積電在該領域的前進步伐不曾放緩。就在今年4月份的時候，台積電宣布其採用EUV的5nm工藝已處於風險生產階段，且與7nm工藝相比，相同的Cortex-A72內核實現了1.8倍的密度提升以及15％的速度提升。時隔不到4個月，台積電總裁魏哲家又宣布，他們在N3（3nm工藝）節點的技術開發進展順利，且已經開始接觸早期客戶。不過，因N3（3nm工藝）技術目前仍處於早期開發階段，故台積電尚未談及其具體特徵及優勢。

台積電作為全球知名的半導體合約製造商，對於自己EUV工藝進展表示十分滿意，並表示希望3nm製程能夠進一步穩固其在未來行業之中的領導地位。

本文編輯：程金平

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