東芝BiCS架構開新花：比3D SLC更強的快閃記憶體出現了！

電腦的運作需要有內存和硬碟兩個部件來共同完成數據儲存：內存速度快但容量小、斷電後記憶會丟失，硬碟速度慢但容量大並且能夠長久保存數據。有沒有可能讓內存和硬碟合二為一呢？

SCM存儲級內存兼具二者之長，既能持久存儲數據，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內存，它是近年來半導體存儲的發展新方向。東芝在今天正式宣布了XL-Flash，它就屬於持久內存類型。

為了讓NAND快閃記憶體的速度能夠達到內存級的水平，東芝在BiCS 3D快閃記憶體結構之上進行了大幅度的優化調整，首先是用4KB Page取代當前3D NAND快閃記憶體普遍採用的16KB Page結構，帶來更低的讀寫延遲和更佳的隨機存取效能。

其次是在XL-FLASH中使用16 Plane架構取代目前出現在BiCS3快閃記憶體中的2 Plane架構，帶來更強的並發讀寫能力。

在之前公開的計劃中東芝未來會在3D TLC快閃記憶體中使用4Plane取代2Plane結構，寫入性能將獲得大幅的提升提升。我們可以由此想像XL-FLASH中16Plane結構的威力。

東芝將在XL-FLASH中採用SLC，即1 bit per cell結構，實現更高速度與更高耐用性。經過以上的優化，東芝XL-FLASH實現了小於5微秒的超低讀取延遲，相比當前3D TLC的50微秒降低了10倍，成功填補TLC NAND快閃記憶體與DRAM內存之間的性能空位。

按照東芝的規劃，XL-FLASH會被首先應用於數據中心以及企業級存儲當中，在分層存儲以及內存擴展方面提供性能助力。XL-FLASH的成本雖然比普通3D TLC要高，但憑藉更接近內存的存取延遲，依然在SCM存儲級內存中具備顯著成本/性能優勢。

當然，XL-FLASH目前還只是剛剛發布的狀態，距離實用化、家用化還有很長一段路要走。近期我們可以關注的是東芝消費級的兩款NVMe固態硬碟新品：RD500與RC500。

RD500和RC500分別使用8通道和4通道主控設計，支持PCIe 3.0 x4介面與NVMe 1.3協議，搭配東芝第四代BiCS 3D TLC快閃記憶體。

RD500和RC500預計將於今年第四季度上市，與當前在售的RC100一起，形成對NVMe SSD市場的全方位覆蓋。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！