三星開始生產100層V-NAND快閃記憶體，已供貨PC廠

集微網消息（文/小山），據ZDNet今日報道，三星電子宣布，已開始生產業內首批 100 層 V-NAND 快閃記憶體。

三星電子錶示，基於 256Gb的 3-bit V-NAND 快閃記憶體將用於企業級 PC SSD ，該公司還透露，250GB的SATA PC SSD已供應給了一家PC製造商，但三星並未揭曉客戶名字。

三星表示， 100 層 V-NAND 快閃記憶體單元只需經過單次蝕刻，同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面，可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。

三星還補充說，今年下半年將增加產量，並使用 512Gb 3-bit V-NAND 快閃記憶體來生產 SSD 和 eUFS 產品，以滿足各種規格的新需求。

據三星介紹，其 100 層（第 6 代 ）V-NAND 快閃記憶體的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs 。與 90 層 V-NAND 快閃記憶體相比，100 層 V-NAND 快閃記憶體不僅性能提升了 10％，功耗還降低了 15% 。

值得一提的是，新產品生產步驟簡化的同時、晶元尺寸縮減了，同時生產效率也提高了20%。

展望未來，三星計劃在移動和汽車領域部署全新的 V-NAND 快閃記憶體，以鞏固其在快閃記憶體市場的領導地位。

報道指出，面對日本對韓國出口半導體材料的管制措施，相比於 SK 海力士下令企業制定應急方案，三星似乎顯得並沒有那麼慌張，而是決定繼續在下半年進一步投資生產。

但鑒於該公司第二季度營業利潤較上年同期減少了一半，其內存業務的利潤也因需求下滑而大幅縮減，且日本已將韓國移除「白色清單」，三星的發展路上仍是充滿了諸多變數。（校對/Jurnan）

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