格羅方德開發出基於Arm的3D晶元，期望延長12nm工藝的壽命

晶元封裝一直是晶元製造中的一個重頭戲，在傳統的2D封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向了3D堆疊工藝。我們已經看到了大量的3D NAND快閃記憶體，英特爾和AMD也都有宣布關於3D晶元的研究，現在Arm和GlobalFoundries也加入了這個領域。

格羅方德（GlobalFoundries）昨日宣布，它已經開發出基於Arm的3D高密度測試晶元，該晶元將實現更高水平的性能和功效。新晶元採用GF的12nm FinFET工藝製造，採用3D的Arm網狀互連技術，允許數據更直接地通往其他內核，最大限度地減少延遲，最終，這可以降低數據中心、邊緣計算和高端消費者應用程序的延遲和更高的數據傳輸速度。

格羅方德表示他們的方法可以在每平方毫米上實現多達100萬個3D連接，使其具有高度可擴展性，並有望延長12nm工藝的壽命。其3D封裝解決方案（F2F）不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯/存儲器集成的途徑，而且可以使用最佳生產節點製造，從而實現更低的延遲、更高的帶寬和更小的特徵尺寸。

由於12nm工藝更加穩定，因此目前在3D空間上開發晶元更容易，而不必擔心新7nm工藝可能帶來的所有問題。然而，台積電，三星和英特爾能夠在比格羅方德小得多的節點上開發3D晶元只是時間問題。

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