SK海力士計劃將推出 800＋層堆棧 NAND 快閃記憶體

集微網消息（文/小山），SK 海力士已經宣布成功開發出 128 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體，並已經進入量產階段。雖然目前其他各家廠商也都在競相推出 NAND 快閃記憶體的新產品，但是堆棧技術的發展至今仍未到達極限。據經濟日報報道，SK 海力士日前公布了該公司的規劃，預計在 2030 年推出 800 層的 NAND 快閃記憶體，屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。

在日前舉行的快閃記憶體 Memory Summit 大會上，SK 海力士公布了旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。

報道指出，目前 SK 海力士正在開發 128 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體，其量產時間將落在 2019 年第 4 季。此外， SK 海力士還展示了一款「PE8030」的全新 SSD，採用 PCIe 4.0×4 介面連接，同時提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 的不同容量，而連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s，而 4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

在研發發展方面，目前 SK 海力士正在研發 176 層 NAND 快閃記憶體，在其他產品方面，包括 72 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體目前大規模量產中，96 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體目前也在大規模量產中，而且未來產能即將超越 72 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體。除將於 2019 年第 4 季量產的128 層堆棧的 4D NAND 快閃記憶體外，176 層堆棧產品將於2020 年問世、500 層堆棧產品則將於 2025 年問世，其 TB/wafer 容量比將可以提升 30%。而 800 堆棧的 4D NAND 快閃記憶體則是預計 於2030 年問世，TB/wafer 容量比將有望提升至100 到 200TB 的大小。

據了解，目前 SK 海力士生產的 128 層堆棧 NAND 快閃記憶體的核心容量是 1Tbit，176 層堆棧的核心容量則是達到 1.38Tbit，預計 500 層堆棧時核心容量可達 3.9Tbit，而 800 層堆棧產品則會高達 6.25Tbit，是目前現在產品的 6 倍多。

值得一提的是，若以當前 SSD 固態硬碟的容量計算，目前最大容量約在 15 到 16TB 左右。而依照 6 倍核心容量的成長幅度來計算，未來 SSD 容量可達 200TB 左右，這個容量要比當前的 HDD 還要更大。（校對：Glow_g）

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