中芯國際14nm秋季量產 7nm工藝或在2020年底問世

上周末國內最大的晶圓代工廠中芯國際發表了Q2季度財報，當季營收7.91億美元，環比增長18.2%，同比減少11.2%；毛利為1.51億美元，環比增長23.8%，同比減少30.6%；公司擁有人應占利潤為1853.9萬美元，環比增長51.1%，同比減少64.1%。

在全球半導體市場進入熊市周期，而且中芯國際缺乏先進工藝的情況下，Q2季度取得環比大幅增長已屬不易，而中芯國際未來最重要的任務除了改善盈利之外就是突破先進半導體製造工藝，目前已量產的28nm工藝相比台積電、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也沒優勢。

在先進工藝上，中芯國際的策略就是28nm工藝不會再擴產了，但是會從28nm Bulk工藝升級到更有優勢的28nm HKC 工藝，主要用於API、IoT、機頂盒、IPTV等產品中。

下一個重要節點是14nm及改進型工藝12nm，中芯國際表示14nm已經進入客戶風險量產階段，目前流片數量10多個，今年秋季會正式量產，年底貢獻有意義的營收，不過大規模量產還要到2021年。

14nm之後還有改進型的12nm FinFET工藝，根據中芯國際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%。

目前12nm工藝已經進入了客戶導入階段，進展順利，預計年底會有多個晶元流片驗證。

14/12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝，第一階段中其產能會從3K晶圓/月逐步提升到6K、9K、15K/月，超過15K/月之後產能就不少了。

14/12nm工藝會是國內最先進的工藝，但是與台積電三星相比依然要落後至少兩代，中芯國際還會有N 1第二代FinFET工藝追趕先進水平。雖然中芯國際一直沒有確認第二代FinFET工藝會是10nm還是直接進入7nm，但從之前訂購ASML的EUV光刻機來看，中芯國際應該會跳過10nm節點，畢竟10nm節點本來也是低功耗方向的，而7nm節點才是長期存在的高性能低功耗節點，意義更加重大。

N 1 FinFET節點會是中芯國際的第二階段，預計2020年底會有試驗產能，不僅是有N 1，還會有更先進一代的N 2節點。

總之，如果進展順利的話，那麼2020年底國內可能會有7nm工藝風險試產，這時候依然是追趕台積電三星的水平，但差距會縮短到一代左右。

實際上，在擁有了14nm、7nm生產能力之後，國內的晶元公司就能大幅減少被卡脖子的可能了，特別是國產的龍芯、兆芯之類的處理器，這個時間節點就在2020年底了。

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