被美韓壟斷的存儲晶元，這家公司用4年時間突圍，年產量佔全球8％

中國在半導體領域的研發相較於西方有些落後，時至今日，仍是有許多核心技術受制於人。當然，在追趕過程中也有不少科技巨頭成功打破其它國家的壟斷，其中就包括存儲器巨頭長江存儲。

根據公開公開資料顯示：長江存儲成立於2016年，主要經營的業務包括半導體集成電路科技領域內的科技開發，集成電路等相關業務。時至今日，長江儲存已經發展四年的時間，並且儲存晶元領域擁有很大的成就。要知道，長江儲存在成立之前，全球的儲存晶元一直被美韓科技企業壟斷，國內的存儲晶元也只能從海外進口，自給率幾乎為零。

可以說，長江存儲誕生於最艱難的時刻。雖然長江存儲前期的發展並不是很順利，但其並沒有退縮，反而集資240億美元打造世界級的半導體儲存企業，集中研究生產NAND FLASH和DRAM。不過，由於長江存儲的技術儲備遠遠不及海外存儲晶元巨頭，因此只能集中力量將3D NAND Flash晶元作為重點研發目標。

另外，除了長江存儲之外，還有晉華集成和合肥長鑫等儲存器公司也相繼進入研發儲存晶元的道路，因此，國產存儲器也開始踏上了奮起直追的流程。而長江存儲也在埋頭苦幹兩年之後，成功打造出了32層3D NAND Flash晶元，這令其成為了當時全球第五家能夠獨立研發出該晶元的企業。

值得注意的是，前段時間，長江存儲宣布成功研發出128層QLC 3D NAND存儲器產品，這是全球首款128層QLC快閃記憶體。長江存儲能夠在短短的4年時間裡，實現從32層到64層再到如今的128層的突破，研發實力可見一斑。自此，長江存儲成功帶領中國的存儲晶元衝出突圍。

值得一提的是，早在2018年，長江存儲的專利數就超過了2000項，並以每年1000項的專利申請的速度邁進，時至今日，長江存儲的專利數預計已經超過4000。

根據筆者調查，目前全球月產能大概在130萬片晶圓左右，而在2020年底，長江存儲的月產能預計可達到10萬晶圓。如果長江存儲的月產能達到了預期目標，其月產量將佔據全球月產量的8%。總而言之，長江存儲未來的發展可謂是一片光明。

對此，你有何見解呢？

文/球子

審/JING

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