歷時3年攻克難題，打破美日韓壟斷，造出中國最先進快閃記憶體晶元

長期以來，我國晶元市場依賴進口，特別是存儲晶元的需求量尤為高。而在存儲晶元之中，我國DRAM與FLASH需求量最高，也最受日韓企業的壟斷。這就使得，存儲晶元的定價權被美日韓企業掌握在手中，我國企業沒有話語權。

這樣的境況令人擔憂，於是長鑫存儲、長江存儲等國產內存企業湧現，並逐步打破了美日韓的技術封鎖。其中，中國最先進的快閃記憶體晶元——128層QLC 3D快閃記憶體便在今年4月份，自長江存儲手中，成功問世。長江存儲也因此被看做是國產存儲晶元的領跑者。

更令人驚異的是，長江存儲在2016年時才剛剛成立，其實現這一突破，也不過用了3年的時間。

目前，長江存儲128層QLC 3D快閃記憶體在單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆NAND快閃記憶體晶元容量上，均為我國第一，表現相當出眾。為何長江存儲能在短時間內取得如此亮眼的成績？

首先，這與其得到國家隊的支持，有著重要的關係

長江存儲由清華紫光成立，並且，整合了武漢新芯集成電路10年的心血。在長江存儲的背後，還有著集成電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業，以及省科投的資金支持。

於2016年開工的國家存儲基地一期項目，便是由長江存儲負責。有著如此強大的背景，長江存儲的發展速度，自然不容小覷。

其次，長江存儲成功趕上了快閃記憶體領域的重大變革

2015年起，快閃記憶體晶元從2D邁入了3D時代，並向著縱向堆積多層化方向前進。由此，給了長江存儲一個切入的節點。2016年7月份，長江存儲便成功完成了32層3D NAND快閃記憶體測試晶元的設計工作。

最後，獨創的Xtacking技術，也是長江存儲進展深度的重要原因

該技術能節省更多面積，並提高存儲密度、I/O速度等，表現很是不錯。而且，為了追上當前快閃記憶體晶元一流水平，長江存儲還跳過了48層，直接著手64層的研發。

此後，長江存儲更是再次跳過96層，直接到128層。雖然長江存儲的這一行為頗為冒險，但結果證明，它並沒有辜負大眾的期待。

在我國存儲晶元逐漸取得突破後，日韓企業的晶元價格，也終於有所鬆動。而且，在2020年末到2021年初，長江存儲128層3D NAND快閃記憶體，計劃實現量產，令人振奮。

我國快閃記憶體終於不必受制於人。

文/BU?審核/子揚 校對/知秋

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