三安集成攜最新突破的第三代HBT亮相電子設計創新大會｜美通社
科技
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10月14日，三安集成連續第四次參加電子設計創新大會（EDICON），與通訊行業同仁共同探討行業熱門話題。本次展會，三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT製程工藝，為客戶呈現兩場技術交流分享會。
三安集成在砷化鎵射頻晶元製造工藝領域持續投入，不斷提高工藝水平，第三代HBT工藝可以應用於HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客戶在高頻段消費類通訊的應用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實現量產，可以為客戶提供世界一流的生產能力和性能水平。在展會期間，砷化鎵射頻事業部的林義書處長就5G應用市場闡述三安集成的服務能力。（美通社,2020年10月14日北京）
