中科院研究員闢謠：5nm光刻技術存在誤讀，國產水平在180nm
今年?7月份，中科院發表的一則《超解析度激光光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關注。當時，華為正被美國打壓，中國晶元產業成為了國人的心頭憂慮。
因此，中科院此新聞一出，遭部分媒體誇張、誤解之後，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為「中國不用EUV光刻機，便能製造出5nm晶元」，但事實並非如此。
近日，該論文的通訊作者劉前在接受《財經》記者採訪時，作出了解答。
劉前表示，論文介紹的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜製作上，並非是極紫外光光刻技術，部分媒體混淆了兩者的概念。
在光刻過程中，光源通過激光將電路設計圖寫在光掩膜版上，然後照射在矽片的表面，之後便會進行刻蝕工藝。
可見，光掩膜是集成電路光刻機製造中，不可或缺的重要部分，其對集成電路線寬也起到了一定限制作用。人們常提到的12nm、5nm等，便是集成電路線寬。
長時間來，中國只能製造中低端光掩膜，並且還要依賴海外技術、材料等。
而高端光掩膜版更是成為我國「卡脖子」技術之一。全球高端光掩膜市場主要被美國Photronics、日本印刷株式會社、日本Toppan三者所壟斷，餘下的市場份額很少。
因此，中科院所攻克的這項新技術，雖然沒有部分媒體表述的那樣誇張，但對我國高端光掩膜市場的突破，依然具有重要意義。該技術具有完全自主知識產權，並且有成本更低的優點。
但是，該技術仍處在實驗室階段，想要實現商用並非是一件容易事。
而且，我國光刻機技術也有十分漫長的路要走。據AI財經社消息，有半導體產業資深人士表示：目前我國可以實現180nm製程，但仍在試用階段，還需要攻克。
為何中國光刻技術發展如此緩慢，有半導體業界人士表示：是產業環境的問題。此前，國產設備不被看好，客戶不願意配合使用與測試。這阻礙了我國光刻機產業的發展。
但是，華為被美國制裁事件發生後，許多相關廠商改變了看法，意識到將關鍵技術、設備等掌握在自己手中的重要性，中國集成電路產業的發展速度有明顯加快。
不過，在中國落後頗多的情況下，想要實現突破並非是一件易事。但即便如此，國產晶元仍要抱有信心，不斷追趕。
文/BU?審核/子揚 校正/知秋
