（報告出品方/作者：中泰證券，王芳、楊旭、趙晗泥）

1、利基 DRAM 主要產品，全球市場超 70 億美金

1.1 DDR3 隸屬利基 DRAM，十五年發展歷經輝煌與沒落

存儲是半導體第二大細分品類，周期波動性最強，歷史成長性最好。 1）市場規模：2021/2020/2019 年全球存儲市場規模為 1534/1175/1064 億美金，佔半導體規模的比例為 28%/27%/26%，是全球第二大細分品類。 2）周期波動：存儲的周期性與全球半導體整體周期性走勢一致，但波動 性遠大於其他細分品類。 3）成長性：2002-2021 年、2011-2021 年、2016-2021 年存儲 CAGR 分別 為 9.5%、9.7%、14.9%，均為半導體成長性最優細分產品，且近 5 年增 速顯著高於近十年和近二十年增速，成長性顯著提升。

DRAM 是存儲器第一大市場，周期波動性最強，歷史成長性最優。 1）市場規模：2021/2020/2019 年全球 DRAM 市場規模為 930/643/625 億美金，占存儲的比例為 61%/55%/59%，是存儲第一大細分品類。 2）周期波動：DRAM>NAND>Nor 及其他，DRAM 周期波動性大於存儲平均水 平，是存儲細分市場中周期性波動最大細分市場。 3）成長性：從 2009-21 年、2011-21 年、2016-21 年存儲器各細分品類 CAGR 看，DRAM>NAND>Nor 及其他，DRAM 成長性大於存儲平均水平，且近 5 年增速顯著高於近十年增速，成長性顯著提升。

DRAM 屬於半導體存儲器，是易失性存儲器的一種，主要用於電子設備 的內存。半導體存儲器分為非易失性存儲器和易失性存儲器，非易失性 存儲器在斷電時仍然可以保存數據，包括 NAND Flash、NOR Flash 等， 易失性存儲器在斷電狀態下數據會丟失，包括動態隨機存儲器（DRAM） 和靜態隨機存儲器（SRAM）。在易失性存儲器中，DRAM 和 SRAM 的 應用場景各有不同。SRAM 的讀寫速度在所有的存儲器中最快，但同時 製造成本高，常用於對容量要求較小的高速緩衝存儲器，如 CPU 的一 級、二級緩存等。DRAM 利用電容儲存電荷的多少存儲數據，需要定時 刷新電路克服電容的漏電問題，讀寫速度比 SRAM 慢，但快於所有的只 讀存儲器（ROM），且集成度高、功耗低、體積小，製造成本低，常用於容量較大的主存儲器，如計算機、智能手機、伺服器的內存等。除半 導體存儲器外，按照存儲介質的不同，存儲器還包括光學存儲器和磁性 存儲器。光學存儲器根據激光等特性進行數據存儲，常見的有 DVD、 CD 等，磁性存儲器利用磁性特徵進行數據存儲，常見的有磁碟、軟盤 等。

同步 DRAM 速度更快，替代非同步 DRAM。按照 RAM 和 CPU 是否同頻，DRAM 可分為同步 DRAM（Synchronous DRAM，簡稱 SDRAM）和非同步 DRAM （Asynchronous DRAM）。在非同步 DRAM 中，CPU 與 RAM 之間沒有公共的時 鍾信號，當 RAM 不能及時提供數據時，CPU 需等待內存數據，這嚴重影 響性能。為解決該問題，同步 DRAM 應運而生，在 RAM 中加入時鐘輸入引 腳，使得 CPU 與 RAM 之間有公共的時鐘信號、實現同步，此時 CPU 無需 等待數據，讀寫速度加快、數據的傳輸效率大幅提升。非同步 DRAM 通常適 用於低速存儲系統，但不適用於現代高速存儲系統，在 1996-2002 年期 間，同步 DRAM 逐步取代了非同步 DRAM，逐步佔領了內存市場。

同步 DRAM 不斷迭代，新 DDR 逐步替換老 DDR 是行業規律。根據時鐘邊 沿讀取數據，同步 DRAM 分為 SDR（Single Data Rate）和 DDR(Double Data Rate)技術，在 2003 年之後，SDR SDRAM（有時也簡稱為 SDRAM）逐漸 被存取速度更快的 DDR SDRAM 取代。DDR SDRAM 已經發展至第五代，分 別是：第一代 DDR SDRAM，第二代 DDR2 SDRAM，第三代 DDR3 SDRAM，第 四代 DDR4 SDRAM，第五代 DDR5 SDRAM。每一次迭代，基本都能實現晶元 性能翻倍，當新一代性能更好的 DDR 出現時，老一代 DDR 會逐漸被替代。

代數越高，功耗越低，傳輸速率和理論容量越高，每一代較前一代性能 翻倍。相較 1997 年發布的 SDR SDRAM，後面每一代 DDR SDRAM 在功耗、 容量和傳輸速率上都不斷改進，順應電子設備大容量、省電、低功耗的 發展趨勢。其中，容量提升是來自晶元集成度的提高，傳輸速率的提升 主要是來自預取倍數的增加。1）功耗方面，從 SDR 支持的 3.3V 降低到 DDR5 的 1.1V，功耗降低 67%。2）容量方面，隨著晶元製程的縮小，存 儲器的集成度提高，DDR5單顆密度將從8GB起步，理論密度最高可達64GB， 是 SDR 單顆容量的 8 倍不止。3）傳輸速率方面，通過增加預取倍數、Bank Group、DDR 等技術，DDR5 可以輕鬆實現 4266MT/s 的高運行速率，最高 運行速率可達 6400MT/s，是 SDR 的 40 倍。

技術實現路徑：內部時鐘頻率提升不大，每一代主要通過翻倍預取來實 現數據的傳輸速度的提升。DDR 中有兩個時鐘頻率，一個是內部時鐘頻 率（也稱為核心頻率），是內存收到指令到將數據的傳輸到 I/O 介面上所 需要的反應速度，這主要由存儲單元內部的電容、晶體管、放大器等微 觀結構決定，提升難度大，所以從 SDR 到 DDR5，內部時鐘頻率雖有提升 但提升幅度不大；另一個是外部時鐘頻率（也稱為 I/O 時鐘頻率），外部 時鐘頻率在核心時鐘頻率的基礎上，通過翻倍預取提高速度。

1）SDR SDRAM：在一個時鐘周期里只在上升沿傳輸數據，所以 SDR 也叫 Single Data Rate SDRAM，此時數據的傳輸速率的提升主要是靠提升內 部時鐘頻率。

2）DDR1 SDRAM：內部時鐘頻率提升難度大,因此通過在時鐘周期的上升 沿和下降沿各輸出一次數據，相當於在一個時鐘周期需要預取 2 倍數據， 即每當讀取一筆數據的時候，都會一共讀取 2 筆的數據。因此在內部時 鍾頻率不變的情況下，DDR1 的數據的傳輸速率實現翻倍。

3）DDR2 SDRAM：預取 4 倍數據，數據的傳輸速率達到內部時鐘頻率的 4 倍，較 DDR1 提升 2 倍。

4）DDR3 SDRAM：預取 8 倍數據，此時數據的傳輸速率達到內部時鐘頻率 的 8 倍，較 DDR2 提升 2 倍。

5）DDR4 SDRAM：標準型 DDR 的匯流排位寬是 64bit，若進行 16 倍預取， 總共有 128Byte 的數據，超過了目前主流處理器的 Cacheline size（用 於處理器緩存的基本數據單元）64Byte 的數據通道，由於 Cacheline 的 限制，DDR4 沒有將預取加倍，而是使用 Bank Group 技術，通過兩個不 同 Bank Group 的 8 倍預取來拼湊出一個 16 倍的預取，當 DRAM 獲得了兩 筆數據的讀命令，並且這兩筆數據的內容分布在不同的Bank Group中時， 由於每個 Bank Group 可以獨立完成讀取操作，兩個 Bank Group 幾乎可 以同時準備好這兩筆 8 倍數據。然後這兩筆 8 倍數據被拼接成 16 倍的數 據，數據的傳輸速度達到內部時鐘頻率的 16 倍，較 DDR3 提升 2 倍。

6）DDR5 SDRAM：在 Bank Group 技術的基礎上，使用通道拆分技術增加 預取倍數，將 64 位的匯流排分成 2 個獨立的 32 位通道，此時每個通道都 只提供 32bit 數據，將預取增加到 16 倍，仍然保證了 Cacheline 的大小 還是 64Byte。通道拆分帶來的 16 倍預取，疊加 Bank Group 增加的 2 倍， 數據的傳輸速率達到內部時鐘頻率的 32 倍，較 DDR4 又提升 2 倍。

按照應用場景，DRAM 分成標準 DDR、LPDDR、GDDR 三類。JEDEC（固態技 術協會，微電子產業的領導標準機構）定義並開發了以下三類 SDRAM 標 准，以幫助設計人員滿足其目標應用的功率、性能和尺寸要求。 1）標準型 DDR：Double Data Rate SDRAM，針對伺服器、雲計算、網路、 筆記本電腦、台式機和消費類應用程序，允許更寬的通道寬度、更高的 密度和不同的外形尺寸。 2）LPDDR：Low Power Double Data Rate SDRAM，針對尺寸和功率非常 敏感的移動和汽車領域，有低功耗的特點，提供更窄的通道寬度。 3）GDDR：Graphics Double Data Rate SDRAM，適用於具有高帶寬需求 的計算領域，例如圖形相關應用程序、數據中心和 AI 等，與 GPU 配套 使用。 另外，DRAM 按照市場流行程度可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。

DDR3 是利基產品，目前主流是 DDR4，DDR5 跑馬進場。產品不斷迭代， 按照市場流行程度可分為主流產品和利基產品，利基產品一般是從主流 規格中退役的產品。目前市場主流 DRAM 是容量 8GB 的 DDR4/DDR5，容量 在 4GB 及以下的 DDR4、DDR3 等現階段屬於利基 DRAM。DDR3 主要應用於 液晶電視、數字機頂盒、播放機等消費型電子與網路通訊等領域，需求 較為穩定，很多都是客制化晶片，不屬於大眾規格產品，價格主要受供 給影響。（報告來源：未來智庫）

1.2 全球市場超 70 億美金，市場萎縮但生命力持久

DDR3 市場規模超 70 億美金，市場逐漸萎縮，但生命力持久、中短期仍 佔據一定行業地位。

1）市場規模：自 2007 年 JEDEC 發布 DDR3 標準至今，DDR3（包括標準 DDR3、LPDDR3）已發展 15 年，2020 年在 DRAM 市場佔比 20%，預計 2021年佔比 8%，2022 年有望維持 8%的佔比。預計 2021 年、2022 年市場規模 將分別達到 74 億美金、75 億美金。

2）市場逐漸萎縮：2020 年 DDR4/DDR4 佔比超過 80%，目前處於 DDR4 替 代 DDR3 的切換期。DDR3 市場在逐漸萎縮，其市場規模在 2014 年達到最 大值 394 億美金，到 2020 年縮小到 129 億美金，市場規模年複合增長率 為-20%。

3）被替代速度放緩，中短期仍佔據一定行業地位。從 DDR3 標準的推出， 到 2010 年 DDR3 市場規模超過 DDR2，歷經三年時間；從 2012 年 JEDEC 推出 DDR4 標準，到 2018 年 DDR4 市場規模超過 DDR3，耗時 6 年。DDR3 被 DDR4 完全替代的速度相對放緩。我們認為原因有二：

①主流 DDR3 時代導入的產品量遠大於主流 DDR2 時導入的產品量，僅從 全球 PC 年出貨量看，根據 IDC 的數據，2007 年（DDR3 新發布，DDR2 是 主流）出貨 2.7 億台，2014 年（DDR4 發布，DD3 是主流）出貨 3.5 億台， 增長近 30%，因為各代 DDR 之間不兼容，如果升級 DDR，需要將 CPU、主 板等一併更換，替換成本高，替換成 DDR4 的動力減弱。

② DDR3 目前主要需求落在大量的低容量低端消費電子領域。該領域產 品不追求高性能，短時間內無升級需求，如 WiFi 路由器、家電等消費性 電子產品的首選仍是 DDR3，另外在汽車、工業領域，DDR3 也有其較為穩 定的市場，同時從 DDR3 切換到 DDR4 仰賴主控晶元廠的晶元迭代、終端 市場的共同推進。DDR3 的需求是來自於技術迭代過程中的滯後性，硬體 迭代速度慢，我們預計這種滯後性在中短期內仍將存在。

2、中國台灣佔據半壁江山，長尾市場較為穩定

2.1 主流以韓美為主力，利基市場台系佔據半壁江山

DRAM：全球三大原廠寡頭壟斷，競爭格局穩定，大陸還看長鑫。 1）三足鼎立：DRAM 競爭格局歷經洗牌，現階段韓國三星、韓國海力士、美 國美光三大寡頭壟斷市場，呈現「三足鼎立」之勢。 2）格局穩定：2021 年三星、海力士、美光市佔率依次為 43%、28%、23%，合 計佔比超 90%，自 2013 年美光收購爾必達後，三大廠商市場率合計始終位於 90%以上，2019 年達到 99%，2020-2021 年因大陸廠商擴產等，三大原廠合計 市佔率略微下降到 94%。

DRAM：大陸第二大市場但自給率極低，長鑫引領發展。 1）第二大市場：根據 2019 年數據，中國是全球第二大 DRAM 市場，佔據 34% 的市場，僅次於美國的 39%。 2）自給率極低：長鑫量產前，本土自給率幾乎為 0。 3）長鑫引領大陸 DRAM 發展：長鑫是大陸首家 DRAM IDM 廠商，2016 年在合 肥成立，規劃三期，產能共 36 萬片/月。2019 年 19nm 8Gb DDR4 投產，2022 年預計將試產 17nm。從製程發展看，長鑫較三大原廠及南亞仍落後，但已超 過華邦。

DDR3：海外 台系 CR4 高達 90%，大陸廠商佔比亟待提高。1）三大原廠 中國 台灣廠商：根據我們的測算，三星在 DRAM 市場、細分 DDR3 市場都是絕對龍 頭，在 DRAM、DDR3 市場份額分別達 43%、40%，美光在 DRAM、細分 DDR3 市場 也是行業領先者，市場份額分別達 23%、22%，海力士在 DRAM、細分 DDR3 占 比分別為 28%、4%，因其逐漸退出 DDR3 市場，預計其在 DDR3 市場佔比持續 萎縮，中國台灣廠商南亞、華邦在 DRAM 市場份額較小但發力利基市場，南亞 在 DDR3 市場份額達 22%，華邦在 DDR3 市佔份額達 5%。 2）大陸廠商：IDM 廠商長鑫發布多種DRAM 產品，兆易創新 2021 年量產 19nm 4Gb DDR4,目前17nm 4Gb DDR3 在研，北京君正(ISSI)營業收入主要是 DDR3，東芯股份目前 DRAM 產品包括 LPDDPR1、LPDDR2、DDR3。

DDR3：韓系龍頭逐漸退出，台系廠商產能未就位，DDR3 格局優化。三星 是 DDR3 第一大供應商，另外佔據主要份額的有海力士、美光、華邦、力 晶、南亞。根據中國台灣媒體消息，三星、海力士減產 DDR3，計劃將產 能移轉至 CIS 或者 DDR4、DDR5，三星下半年將完全停止 2Gb DDR3 供貨， 2Gb 以下低容量 DDR3 亦陸續進入 EOL 停產 cft 階段（註：三星已對客戶 發出產品變更通知（PCN），4/28 結束 2Gb DDR3 生產周期，4/29 是最後 下單（Last Time Buy）截止日，6/30 是最後出貨日期）。根據集邦諮詢 的消息，美光的 DDR3 到 2026 年都暫無結束產品周期的規劃，但是 DDR3 產能預計轉移至以生產利基產品為主的美國廠，但美國廠同時生產車用、 消費類等產品，在車用存儲需求增長的情況下，產能可能向毛利更高的 車規產品傾斜，壓縮消費類產品的供給。中國台灣廠商南亞、華邦等雖 有產能擴增計劃，不過實際貢獻要等到 2023-2024 年。

料號數量：三大原廠 DDR4 料號數量遙遙領先，中國台灣廠商利基產品 料號數量矚目，大陸仍有差距。我們統計 8 家廠商官網列示的 1000 餘款 DRAM 晶元（截至 2022/5），並根據 DRAM 代際和容量進行分類，具體來看：

1）三大原廠：三大原廠均已實現 DDR4 迭代，4G-32G 容量全線鋪齊。 其中，三星作為 DDR3 第一大供應商，DDR3 料號數量可觀，佔比 61%；海力士目前重心在 DDR4，DDR4 料號佔比 69%，DDR3 目前有 4G 的 大容量產品；美光料號分布廣泛，DDR-DDR4 全覆蓋，DDR3、DRR4 料號數量分別佔比 38%、40%，佔比均衡。近年來，三巨頭也在探索 DDR5，如 2020 年 10 月宣布 SK 海力士在 2020 年 10 月宣布推出全球 首款 DDR5 DRAM。

2）台系廠商：南亞除覆蓋 DDR-DDR3 產品外，目前在進行 DDR4 初步 迭代，已量產 4G、8G 產品，而華邦繼續專註 DDR-DDR3 市場；從不 同代際 DRAM 的料號佔比看，目前中國台灣廠商仍主力 DDR3，DDR3 料號佔比分別達到 63%、69%。

3）大陸廠商：長鑫存儲專註 DDR4，Fabless 廠商如 兆易創新、北京君正、東芯股份均主要發力 DDR3 和小容量 DDR4，但從 料號數量看與中國台灣廠商仍有差距。其中，北京君正因收購 ISSI 獲得 比較全面的利基 DRAM 產品陣列，目前 DDR、DDR2、DDR3、小容量 DDR4 全覆蓋，目前主力是 DDR3，料號佔比 44%；兆易創新 2021 年推出 18 款 4G DDR4，今年預計量產 2G、4G DDR3 產品；東芯股份的 DDR3 覆蓋 1G、 2G、4G，共計 10 款產品。

2.2 主流以手機 PC 伺服器三大市場為主，利基偏重長尾市場

DRAM 可分為模組和晶元，模組是將 DRAM 晶元（Die）組合在一起，容量 更大，在電腦、伺服器上主要是模組（也稱為內存條），DRAM 晶元主要 與主控晶元配套使用，應用在消費等容量要求較低的領域。

智能手機 伺服器 PC 三大驅動力，大容量趨勢明確。目前手機佔比 39%， 是第一大市場，伺服器佔比 34%，是第二大市場，PC 佔比 13%，萎縮明 顯。目前電子產品的容量需求提升，大容量 DRAM 市佔份額逐漸提升，根 據 IHS 數據，2019 年 容量>4Gb 的 DRAM 佔比 87%。

消費電子是 DDR3 第一大應用，其次是工業和汽車。根據我們的測算， 消費電子占 DDR3 的 79%，是第一大應用，工業佔比 12%，汽車佔比 9%。

DDR3 在應用中需匹配主控晶元需求。模組主要是用於 PC 和伺服器，目 前主要是 DDR4、DDR5 模組，DDR3 主要是與主控晶元（如 MCU、MPU、Soc） 配套使用，滿足主控晶元的存儲需求，如 NXP 的用於儀錶盤的 i.MX6S 系列 MCU 在外部配置了 2 顆 DRAM，1 顆 LPDDR2 和 1 顆 DDR3。

在 TI、高通、瑞薩、Mobileye、安霸、NXP 的主控晶元中都有配置 DDR3， NXP 在 MCU 等主控晶元領域是領先者，我們詳細梳理了 NXP 官網的 8175 款配有 DDR3 的主控晶元的下游應用情況（截至 2022/4），以期對 DDR3 的下游應用有更為具體的感知。

1）消費電子及通訊基礎設施：配有 DDR3 的主控晶元 4702 款，占配置 DDR3 的主控晶元總量的的 58%。DDR3 在消費電子中應用於智能家居、智慧城市、可穿戴產品，配置了 DDR3 的 NXP 主控晶元的料號數達 2702 個， 佔總量的 25%，一般配置 1-2 顆 DDR3，在細分市場如家用電器、家庭控 制與安全、家庭娛樂、移動設備（如腕帶、智能手錶）中應用廣泛；該 應用領域對性能要求不高，同時更新迭代速度慢。DDR3 在通訊基礎設施 中也有廣泛應用，如在無線基礎架構中，配置了 DDR3 的 NXP 主控晶元的 料號數達 2018 個，佔總量的 33%。

2）工業控制領域：DDR3 應用於航空航天於機器人、工業自動化、電力 能源、醫療健康等領域，配置了 DDR3 的 NXP 主控晶元數量達 1869 個， 占配置 DDR3 的主控晶元總量的的 23%，一般配置 1-2 顆 DDR3；該應用領 域對可靠性、穩定性的要求高於對速度、容量的要求，所以大量使用發 展多年、成熟的 DDR3。

3）汽車電子：DDR3 在汽車中應用於 ADAS、車載娛樂、汽車鏈接等領域， 其中 ADAS 含前視攝像頭、環視、感測器融合等應用場景，車載娛樂包括 儀錶盤、聯網廣播等應用，配置了 DDR3 的 NXP 主控晶元數量達 1586 個， 占配置 DDR3 的主控晶元總量的的 19%，一般配置 1-2 顆 DDR3。雖然在汽 車智能化趨勢下，有車廠切換到性能更好的 DDR4，但很多傳統燃油車車 廠在車載影音、儀錶盤中仍大量使用 DDR3，因為車廠對穩定性要求更高， 切換速度慢。

2.3 價格：DDR3 結構優化，與 DDR4 價格倒掛

下游景氣下行，5 月合約價全線下跌。 1）主流 DRAM： 5 月主流 DRAM 合約價持續下跌，DDR4、DDR5 下跌程度 不同，其中 DDR4 基本平穩，環比跌幅 1%-2%，DDR5 的晶元和模組跌幅較 大，環比跌幅近 10%。 2）利基 DRAM：利基 DDR4、DDR3、DDR2 合約價環比跌幅 0-3%，整體較為 平穩。

截至 2022 年 5 月 31 日，現貨價依然全線下跌。 1）主流 DRAM：近一個月主流 DDR4 的跌幅 2%-3%； 2）利基 DRAM：近一個月利基 DDR4 跌幅大於 DDR3 跌幅，DDR4 跌 幅 4%-7%， DDR3 跌幅 1-5%。

主流：DDR4 晶元 5 月合約價環比下跌 2%，現貨價格近一月跌幅 2%-7%。 1）合約價：今年 5 月，DDR4 8Gb（1Gx8）的價格為$3.35，同比-11.84%， 環比-1.76%，價格自從去年9月的$4.01開始下跌，今年1月跌至$3.41， 相較 9 月的價格跌幅達到 17%，後連續三個月價格穩定，有止跌回穩態 勢，但近一個月價格繼續下行；DDR4 16Gb（2Gx8）的價格為$8.69， 環比-1.84%。 2）現貨價：截止 5 月 31 日，DDR4 8Gb（1Gx8）2666 Mbps 的價格 為 $3.39 ， 近 一 個 月 降 低 2.19% ， 近 一 周 降 低 0.47% ； DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps 的價格為$6.63，近一個月降低 2.46%，近一周 降低 0.72%。

主流：DDR5 主要用於伺服器，合約價跌幅近 10% 。1）晶元合約價：今年 5 月，DDR5 16Gb（2Gx8）的合約價為$8.69， 環比-9.10%，今年 1 月價格為$10.24，2 月價格下降 7%至$9.56，近 2 個月價格穩定，5 月打破止跌態勢、繼續下降。 2）模組合約價：今年 5 月，DDR5 16Gb SO-DIMM 的合約價為$77.00， 環比-8.33%；DDR5 8Gb U-DIMM 的合約價位$40.00，環比-8.05%。

利基：DDR4 晶元 5 月合約價環比下跌 3%，現貨價持續下行 。1）合約價：今年 5 月，DDR4 8Gb（512Mx16）的合約價為$3.59，同 比-19.33%，環比不變，價格保持平穩；DDR4 4Gb（256Mx16）的合 約價位$2.35，同比-4.08%，環比-1.26%，連續 3 個月價格下跌。 2）現貨價：截止 5 月 31 日，DDR4 8Gb（512Mx16）2666 Mbps 的現 貨價為$3.45，近一月下跌 4.11%，近一周下跌 1.37%；DDR4 4Gb （256Mx16）2400/2666 Mbps 的現貨價為$1.79，近一月下跌 6.13%， 近一周下跌 2.08%。

利基：DDR3 晶元合約價基本平穩，現貨價繼續下跌。 1）合約價：5 月 DDR3 4Gb（256Mx16）的合約價為$2.75，同比 13.17%， 環比-0.72%，漲勢停止；DDR3 2Gb（128Mx16）的合約價為$2.46， 同比 24.87%，環比-0.81%，漲勢停止；DDR3 1Gb（64Mx16）的合約 價為$1.78，同比 5.33%,環比-1.66%，漲勢停止。 2）現貨價：截止 5 月 31 日，DDR3 4Gb（256x16）1600/1866Mbps 的現貨價為$2.23，近一個月下跌 4.20%，近一周下跌 0.71%；DDR3 2Gb （128Mx16）1600/1866Mbps 的現貨價為$2.04，近一個月下跌 4.65%， 近一周下跌 1.01%；DDR3 1Gb（64Mx16）1600/1866Mbps 的現貨價 為$1.62，近一個月下跌 1.52%，近一周下跌 0.31%。

DDR3 結構優化，DDR3 與 DDR4 價格出現倒掛。 高代際 DRAM 的產品的性能優於低代際 DRAM 產品，在相同容量下， 價格高於低代際 DRAM，但目前因韓系大廠逐漸退出、台系廠商產能增 幅有限，與同容量的 DDR4 產品價格出現倒掛。 1）合約價：過去 4Gb DDR4 價格高於 4Gb DDR3，2021 年 12 月價格 打平，自今年 1 月價格開始倒掛，4G DDR3 與 4G DDR4 價差持續擴大， 5 月 4G DDR3 價格 $2.75，4G DDR4 價格$2.35，4G DDR3 價格較 4G DDR4 高 0.4 美金。 2）現貨價：2021 年 10 月中旬，4Gb DDR3 與 4Gb DDR4 價格基本打 平，後開始出現倒掛，4G DDR3 與 4G DDR4 價差持續擴大，截至 5 月 31 日，4G DDR3 價格 $2.23，4G DDR4 價格$1.79，4G DDR3 價 格較 4G DDR4 高 0.44 美金。（報告來源：未來智庫）

3、長鑫引領大陸 DRAM 產業發展，大陸積極布局 DDR3 市場

3.1 長鑫引領大陸產業，大陸設計公司聚焦利基 DDR3

存儲市場，大陸以利基產品為切入口。大陸廠商聚焦利基產品，如利基 DRAM、SLC NAND、Nor Flash、EEPROM 等產品。1）利基 DRAM： 大陸供應商如兆易創新（2021 年推出 4Gb DDR4）、北京君正、東芯股 份，本土 IDM 廠商長鑫存儲聚焦主流 DRAM。2）SLC NAND：大陸供 應商如兆易創新、北京君正、東芯股份。

大陸DDR3產品性能比肩海外廠商，兆易創新17nm製程成本優勢突出。 JEDEC 定義 DRAM 標準，故 DRAM 是相對標準的產品，以兆易創新擬 推出的 DDR3 產品為例，容量覆蓋 2Gb/4Gb，有 x8、x16 兩種結構， 數據的傳輸速率達到 2133Mbps，電壓 1.35/1.5V，工作溫度-40~95、-40~105 攝氏度，參數與國際大廠、台系廠商旗鼓相當，主要是在容量 覆蓋面、料號數量、下游應用、製程上有所差異，具體來看：1）容量覆 蓋：兆易創新的 DDR3 的容量是 2Gb/4Gb，國際廠商、台系廠商覆蓋 1G-4G，其中美光、北京君正甚至有 8Gb 產品。2）料號數量：兆易創 新 DDR3 產品的料號數量是 24 顆，而海外大廠與台系廠商的料號數量 較多，其中三巨頭中三星 DDR3 料號數量為 75 顆，台系廠商華邦的料 號數量甚至達到了 144 顆。3）下游應用：兆易推出的 DDR3 產品主要 應用於商規和工規，如網路通信、電視、安防監控、機頂盒、智慧家庭 等領域，而國際廠商、台系廠商的 DDR3 產品可廣泛應用於商規、工規、 車規，北京君正的DDR3 也是全覆蓋，其應用面相較兆易創新更加廣泛。 4）製程：海外大廠的 DDR3 產品主要是 20nm 製程，而兆易創新的 DDR3 使用 17nm 製程，製程更先進，成本更低。

3.2 兆易創新：DRAM 開始貢獻營收，17nm DDR3 值得期待

攜手長鑫布局 DRAM，自研發展順利。兆易創新自上市起便計劃 DRAM， 2016 年 12 月擬以 65 億收購以車用 DRAM 見長的北京矽成，但後續因北 京矽成的供應鏈潛在風險，該收購於 2017 年終止，同年 10 月兆易創新 與合肥產投（合肥產投的唯一股東及實際控制人為合肥國資委）簽署合 作協議，開展 19nm 的 12 寸存儲器項目（主要是 DRAM），正式開啟了 DRAM 戰略布局。

1）合作開發階段：2017 年，為更好推行項目，長鑫存儲成立；2019 年 4 月，兆易創新與合肥產投簽署《可轉股債權投資協議》，以可轉股債權 方式對該目投資 3 億元；2019 年 10 月，兆易董事長出任長鑫存儲的董 事長和 CEO，深層綁定長鑫存儲，2020 年 3 月與長鑫存儲簽署採購、代 工、合作開發協議，該協議生效至 2030 年；同年 11 月，長鑫存儲的子 公司睿力集成確認為存儲器項目公司，其中兆易持股 0.85%。目前，長 鑫存儲已經成為中國大陸規模最大、技術最先進的 DRAM IDM，可保障兆 易創新的產能。

2）自研階段：2019 年 9 月兆易創新發布非公開發行股票預案，擬籌集 43.24 億，正式開啟自研之路，其中 33 億元用於研發 1Xnm 級（19nm、 17nm）工藝製程，主要瞄準利基 DRAM 市場，設計和開發 DDR3、LPDDR3、 DDR4、LPDDR4 系列 DRAM。整個項目投資額 40 億，預計稅後內部收益率 15.06%，2020 年 6 月完成資金籌集。2021 年 6 月，兆易量產首款自研 19nm 4G DDR4 產品，2022 年擬推出 17nm 的 DDR3 產品。按照兆易創新此 前自研 DRAM 的發展計劃，目前兆易創新已進入多系列產品研發和量產階 段。

自有品牌佔比逐步提升。目前，兆易和長鑫的合作方式為：1）兆易代銷 長鑫的 DRAM 產品；2）長鑫代工兆易自研 DRAM。從採購情況上來看，隨 著兆易自研 DRAM 的推出，自研 DRAM 佔比將逐步提升。

3.3 北京君正：大陸車載存儲龍頭，DDR3 產品豐富

收購 ISSI，迅速切入存儲晶元領域。2005 年成立，北京君正過去產品 主要是微處理器。2020 年，北京君正收購北京矽成，一同收入囊中的還 有北京矽成的核心資產美國 ISSI 及其下屬子品牌 Lumissil，自此北京君 正擁有完整存儲產品、模擬產品，同時北京君正的下游應用從消費電子 擴展到汽車、工業領域。目前，北京君正主要負責微處理器晶元、智能 視頻晶元業務，ISSI 負責存儲晶元業務，Lumissil 負責模擬半導體產品。

矽成並表效果顯著，營收翻倍增長，存儲器貢獻近 7 成營收。1）總營 收：2019 年北京君正營業總收入為 3.39 億元，在 2020 年完成對北京 矽成的收購後，2020 年營收 21.7 億元，yoy 540%，2021 年營收 52.74 億元，yoy 140%。2）存儲營收：存儲晶元 2020/2021 年營收分別是 15.25/35.94 億元，佔比 70.3%/68.1%，2021 年存儲營收 yoy 135%。3） 存儲毛利率：2021/2020 年存儲毛利率分別是 20.73%、30.4%，2021 年因缺貨潮毛利率提升顯著。

ISSI 的存儲：從料號數量、營收佔比看，DRAM 佔據半壁江山。 1）料號數量：我們統計 ISSI 官網列示的的 DRAM、Flash 以及 SRAM 等存儲產品料號（截至 2022/5），共 2000 餘款。其中，DRAM 產品料 號有 1033 款，佔比 50.8%，SRAM 佔比 39%，Flash（Nor NAND） 佔比 10%。此外，ISSI 的 DRAM 產品種類豐富，含 SDR、DDR-DDR4、 LPDDR 等產品。 2）營業收入：從 2018 年北京矽成的營收佔比看，DRAM 收入佔比 58%。

ISSI 的 DDR 系列：DDR3 料號佔比近 50%，DDR3 1G-16G 全線鋪齊。 1）料號數量：在 DRAM 中 DDR 系列 358 款產品中，DDR3 佔比 44%， 是DDR系列中最多的產品類別，其次為DDR和 DDR2，分別佔比 26%、 21%，DDR4 是近兩年的新產品，佔比較低，達 9%。 2）容量覆蓋：DDR、DDR2、DDR3 均實現全容量覆蓋，DDR4 目前覆 蓋小容量 4G 和 8G。

下游應用：ISSI 深耕車載 工業 DRAM 領域，料號佔比高達 72%。ISSI DRAM 產品覆蓋消費、工業以及汽車三大應用領域，從料號分布看，汽 車是第一大應用，汽車 DRAM 料號佔比 41%，工業佔比 31%，消費類 佔比 29%。DDR 系列產品中，除 DDR 外，DDR2、DDR3、DDR4 的 汽車類晶元佔比分別為 44%、51%、52%。車規類晶元對對品質要求嚴 苛，對價格敏感度較小。

3.4 東芯股份：大陸 SLC NAND 龍頭，DDR3 有所布局

發展歷程：收購韓國 Fidelix，加速東芯 DRAM 研發過程。東芯股份成 立於 2014 年，起家產品是 SLC NAND，2015 年東芯完成對韓國上市公 司 Fidelix 的併購，持股比例為 30.18%，加速 DRAM 研發。在收購前， Fidelix 就已具備較強的 DRAM 技術儲備，擁有完整的知識產權，與三 星、LG、日本瑞薩等知名國際公司具體長期穩定的業務往來。目前 Fidelix 從事 DRAM 和 MCP 產品的研發以及 Fidelix 品牌產品的銷售。

大陸 SLC NAND 龍頭，NAND、Nor、DRAM 全覆蓋。目前公司聚焦 中小容量通用型存儲晶元，目前可提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯 片的完整解決方案。

2021 年 DRAM 營收同比增長 67%，毛利率 41%。2021 年 DRAM 營收 0.79 億元，yoy 67%，是增速最快的產品線；從毛利率來看，NAND> DRAM>Nor，2021 年 DRAM 毛利率 41%。

DDR3 1G-4G 全覆蓋，消費電子是主要下游應用。公司 DRAM 產品包 含 SDRAM、LPDDR1、LPDDR2、DDR3、PSRAM，2020 年，DRAM 產品中 LPDRAM 營收佔比最大，佔比 44%，DDR3 佔比 2%。目前公 司 DDR3 產品的製程為 25nm，容量覆蓋 1G-4G，共 10 款料號，其中 1Gb 3 款，2Gb 3 款，4Gb 4 款，消費電子是其下游主要應用。公司在 進行 25nm LPDDR4 研發，該產品目前已流片。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫】。未來智庫 - 官方網站

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