鎧俠正在研發七級單元的3D NAND快閃記憶體，主控晶元開發亦成為難點

NAND快閃記憶體製造商一直嘗試增加每個單元存儲的位數來提高存儲密度，從成本角度出發，這是一種非常具有價值的方法。Kioxia（鎧俠）在這方面一直非常積極，早在2019年就開始討論五級單元的PLC 3D NAND快閃記憶體，去年還曾展示六級單元的HLC 3D NAND快閃記憶體。

據PC Watch報道，鎧俠表示目前正在開發七級單元的3D NAND快閃記憶體，暫時只能在實驗室的低溫條件下實現，並在今年的IMW 2022會議上介紹了相關的研究成果。目前七級單元的3D NAND快閃記憶體還沒有正式的名字，反倒是去年展望3D NAND快閃記憶體發展的時候，確定八級單元的名字叫OLC。目前鎧俠將晶元浸入在液氮（溫度77K / 零下196攝氏度）環境中，讓使用的材料變得更加穩定，同時可以降低電壓的要求。

找到合適的材料和結構只是挑戰超高密度NAND快閃記憶體的一部分，研究人員還要開發必要的主控晶元，以控制128級的電壓變化。目前市場上常見的四級單元的QLC 3D NAND快閃記憶體，電壓變化也就16級，顯然七級單元的3D NAND快閃記憶體的難度要大得多。自2000年二級單元的MLC 3D NAND快閃記憶體出現以來，主控晶元變得越來越複雜，開發和製造成本也越來越高。即便快閃記憶體晶元的價格下降了，主控晶元的價格上漲也會抹掉成本優勢。

鎧俠的合作夥伴西部數據認為，從QLC過渡到PLC的過程會比較慢，至少到2025年以後，市場上才會出現搭載PLC 3D NAND快閃記憶體的產品，顯然六/七級單元的3D NAND快閃記憶體距離消費者更加遙遠。

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